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（工艺技术）制绒清洗工艺 文件 江西天能电力股份有限公司 文件名称：156 多晶硅片绒面制备工艺 文件编号： 版本：TNSC-01: 编制部门：技术部 生效日期： 页数： 1.标题 156mm*156mm 多晶硅片绒面制备和清洗甩干工艺。 2. 目的 2.1 清洗多晶硅片表面油污和损伤层、氧化层的去除。 2.2 在多晶硅片表面制备一个反射率较低的织构表面。 3.适用范围 适用于无锡市瑞能科技有限公司 DUZQJ-9000 型多晶硅制绒清洗机及 QSJ-03 型清洗甩干 机。 多晶硅片绒面制备(硅片型号：156mm*156mm) 4.定义 多晶硅在去清洗腐蚀后，目视硅片表面呈均匀的灰黑色，没有明显的斑点，多晶晶界不 明显。显微镜下，绒面形貌均匀，硅片表面无明显台阶。 5.职责 5.1 所有操作人员都必须严格按照本文件进行操作； 5.2 在操作过程中遇到问题应及时向相关技术人员反应，相关技术员及时提供帮助。 6.内容 6.1 插片 6.1.1 主要原材料： 合格的多晶硅片 6.1.2 工装、设备： 片架（小花蓝） 清洗花篮 美工刀 6.1.3 工艺过程 6.1.3.1 穿戴好工作服、工作帽、口罩和一次性手套。 6.1.3.2 准备好片架、装片记录表以及工序流程卡。 6.1.3.3 查看配料单，确认原材料信息以及数量，并填写装片记录和工序流程卡。 6.1.3.4 检查硅片包装箱确认包装无撞击破损后打开，取出硅片包装盒，在装片记录上记 录相关信息。 6.1.3.5 打开硅片包装盒，从中抽取一片，按照检验标准分别检查其外观。 6.1.3.6 取出包装盒内的硅片，并撵成扇形轻轻插入片架内。 6.1.3.7 将装好硅片的片架分批按顺序整齐摆放在台面上，并将工序流程卡记录准确。 6.1.3.8 将片架放入清洗花篮中每个清洗花篮中放置 3×4 个插片后的片架。准备下一步腐 蚀清洗。 6.1.3.8 注意事项 1.每个片架最多可以插片 25 片。插片过程中对硅片进行检验，不合格硅片挑出。每 装 100 片硅片需要更换一次手套，如装片过程中手套破损需及时更换。 2.插片处打开包装箱拿取硅片时，遵循少量多次的原则，不允许一次拿过量的硅片。 3.插片时，手中拿的硅片数量在 50-100 片。 4.确保没有缺陷片流出。 5.确认在单个片槽内没有双片现象；各项数据的准确性和完整性。 装片过程中需及时将碎片、裂纹片以及其它与检验标准不相符合的硅片挑出，并做好 记录。 6.2 腐蚀清洗 6.2.1 开机 打开氮气阀门、压缩空气阀门、纯水阀门，打开总电源→PLC 电源→各分电源 6.2.2 准备工作 6.2.2.1 确认各机械手是否在原点位置。 6.2.2.2 确认各槽清洗状态正常，各槽内按工艺条件正确配液，见 《清洗配液作业指导书》。 6.2.2.3 确认各槽排水阀关闭，无漏液等，各槽内注入规定的溶液。 6.2.2.4 确认各槽控制系统工作正常，程序准确，参数设定准确。 6.2.2.5 点检各设备动力参数在规定范围内。 6.2.3 关机 6.2.2.1 关机前先把水及药液完全排出（各槽逐个排液，防止副槽水溢流），把机械手打 回原点。 6.2.2.2 关闭各分电源→PLC 电源→总电源→氮气、压缩空气、纯水阀。 6.2.4 工艺过程 酸腐蚀制绒：8 槽清洗机中的第 1 槽，工作温度 7℃±1℃，时间 120±10sec （时间长 短根据硅片减薄量控制，156 硅片减薄量控制在每片 0.40～0.55g 。 漂洗/喷淋：8 槽清洗机中的第 2 槽，水洗槽时间 2～5min 。 KOH 碱洗：8 槽清洗机中的第 3 槽，KOH 百分浓度 2.4% ，时间6～12sec 。 漂洗：8 槽清洗机中的第 4 槽，水洗槽时间 2～4sec 。 HCl 酸洗：8 槽清洗机中的第 5 槽，HCl＋HF 百分浓度 5～10% ，时间2～4sec 。 漂洗：8 槽清洗机中的第 6 、7 槽，漂洗槽时间 2～4sec 。 喷淋：8 槽清洗机中的第 8 槽，喷淋槽时间 1～3sec 。 6.2.5 工艺说明 6.2.5.1 表面绒面均匀、无亮块、无白斑（干燥硅片在日光灯