第4章 自旋偏压驱动下三量子点环的电子输运性质.docVIP

第3章 自旋偏压驱动下三量子点环的电子输运性质 3.1 研究背景 在纳米结构中，对电子自旋的操纵可以实现其在量子计算机和量子信息领域的应用，利用自旋控制半导体的行为具有很多优势：具有更高的速度（自旋的速度高于电荷），因为改变电子自旋取向要比改变电子运动状态要容易和快；低功耗，电荷相互作用的能量在eV量级，而自旋相互作用在meV量级；非挥发性：停电不丢失数据；同时进行信息的传输、处理和存储。因此自旋操控已经成为人们广泛研究的课题[44-47]。量子点中电子自旋是量子比特的自然候选者，因此量子点已经成为量子比特的一个基本单元，所以对量子点内电子自旋的操控受到广泛关注[47-49]。极化量子点系统中电子自旋的方案有很多，其中包括运用磁场[50-54]、光学自旋定位技术[55, 58],以及考虑自旋轨道耦合作用[57-62]。在已发表的众多研究结果中，我们知道为制造大规模集成电路，一种纯电的方法是更具吸引力的。因而，我们迫切需要找到一种新的实现极化电子自旋态的方法。正如近年里被许多研究小组报道的，自旋注入是低维半导体中极化电子自旋的一种有效方法[63-65] 。 在最近的试验中，我们发现，很多自旋注入的非磁性金属可以选来制成电极，然后和其他纳米材料耦合，例如量子点。所以，当电极存在自旋偏压时，再研究量子点系统中电子的自旋极化是非常有趣的。自旋注入到半导体量子点中的实验已经被报道了，在砷化