定向凝固制备铸造多晶硅的原理及应用综述.docVIP

定向凝固制备铸造多晶硅的原理及应用综述 摘要：阐述了介绍了定向凝I古I应用于硅材料的理论基础，论述了近年来定向凝間 制备技术在杂质提纯和晶体生长的研究进展，提出了定向凝I古I制备铸造多晶硅研 究现状和存在的问题。展望今后的发展前景，认为新型的定向凝固技术制备出的 硅锭在杂质含量、晶体结构方面均优于传统凝固技术,应积极改善定向凝固技术, 以制备高品质的太阳能硅材料。 关键词加向凝同；铸造多晶硅；杂质和缺陷；转化效率 晶体硅太阳能电池包括单晶电池和多晶电池2利多晶电池的市场份额占到 一半以上，商业化的多晶电池效率可以达到14%左右［1］。实验条件下，多晶电 池的最高转化效率达到20.30左右，多晶电池的效率虽然略低于单晶电池1%? 2%,但多晶电池制造成本低、环境污染小，仍有很高的性价比和市场［2］。近年 来，由于技术改良、电池效率提高及生产成本下降等有利因素，因而大大促进了 多晶电池应用技术的发展，也使业内专家学者给予了多晶电池制备技术更多研究 和关注［3］。影响多晶电池转换效率主要有2个方面：一是多晶硅铸锭的纯度， 即使材料屮含有少量的杂质，对电池的光电性能就有很大的影响［4］；二是尽量 减少材料屮各种缺陷，多晶硅铸锭屮的晶界、位错与杂质聚集成载流子复合屮心, 大大的降低了多晶电池效率。由以上表述可知，要提高多晶电池的效率，必须I韦I 绕提高材料纯度和降低材料缺陷的技术进行研究，血定向凝固技术正是制备硅晶 体材料的典型应用。定向凝固技术开始只用于传统的高温合金研制，经过几十年 的发展，它已经是一种成熟的材料制备技术［5］。定向凝固技术在多晶硅铸造主 要是控制晶体生长和杂质提纯2方面的应用。定向凝間技术可以很好地控制组织 的晶面取向，消除横向晶界，获得大晶粒或单晶组织，提高材料的力学性能［6］。 同时，定向凝固可生成按照一定晶面取向、排列整齐的晶体结构，由于分凝系数 的不同，杂质凝聚于晶界和铸锭上方，对材料起到提纯作用。 1.基本原理 多晶硅铸锭实际上就是由定向排列的柱状晶体组合形成，形成的理论基础就 是定向凝固原理。定向凝固技术就是在凝固过程屮控制凝固体和熔体屮的温度 场，使其温度梯度形成特定方向，从而使得熔体沿着与热流相反的方向凝固，获 得具有特定取向柱状晶的技术，如图1所示门］ /加热器/固液界面亠侧向无—温度梯度 /加热器/固液界面 亠侧向无—温度梯度 图1定向凝固生长 在这一过程屮，熔体屮的杂质因在固液两相小的溶解度不同，而发生分凝现 象，分凝系数小于1的杂质聚集到铸锭最后凝固的区域，凝固结束之后，利用机 械切除法切掉该区域，达到提纯H的。硅屮主要杂质及其平衡分凝系数如表1 所示［8］。 表1各种杂质元索在熔硅屮的分凝系数 杂质 分凝系数 杂质 分凝系数 杂质 分凝系数 B 0.80 Cu 4.0x10-4 Fe 6.4x1 O6 P 0.35 In 4.0X10-4 V 4.0x1(r6 Li 1.0xl(r2 Au 2.5xl0-5 Ti 2.（）xi（r6 Pb 2.3x1(r? Cr l.lxl(y5 Nb 4.4x1 (r Ca 8.0xW3 Zr 1.0x1 O5 Mo 4.5xl0-8 Al 2?8x1()门 Zn l.Oxl O5 W i.7xi(r8 从表1可以看出，很多金属杂质在硅屮的平衡分凝系数远远小于1,所以在 理论上可以推出，定向凝I古I提纯太阳能级多晶硅的可行的。定向凝固技术有2 个重耍的工艺参数：凝固过程屮固液界面前沿液相屮的温度梯度GL和固液界面 向前推进的速度，即晶体生长速率R, GL/R是控制晶体生长形态的重要判据［9］。 2定向凝固技术在去除金属杂质的应用 冶金法制备多晶硅就是定向凝固技术在去除金展杂质方而的典型应用，而 定向凝固技术也是冶金法提纯硅材料的关键工艺。关于定向凝固技术制备多晶硅 技术，专家学者做了大量研究工作，尤其，近几年国内高校昆明理工大学、大连 理工大学、太原理工大学等在定向凝固技术制备多晶硅方而做了大量实验，得出 很多有用结论［10］o Morita等人提岀，冶金级硅屮金展杂质经过2次定向凝固提 纯，完全可以达到太阳能级多晶硅要求［11］。Rannveig Kvande等通过慢冷和快冷 快速定向凝尚对比实验，测量出碳的含量在2个试块屮的含量分布基本一样，慢 冷的氧含量比快冷高［12］o Pires等利用电子束熔炼法，获得了 5N的太阳能级多 晶硅，得出了硅锭下部和边缘杂质的含量较低，上部和屮间杂质含量较高的结论 ［13］0 Chandra P Khattak等利用真空氧化和定向凝固2步工艺提纯工业硅，结果 表明，大部分的金属杂质含量还是很高，虽然部分金属杂质去除效果理想，但还 是达不到太阳能级多晶硅的要求［14］。昆明理工大学的戴永年教授等人利用定向 凝固技术