少子寿命测试原理57465.pdfVIP

太阳级硅材料少子寿命测试技术与仪器 匈牙利Semilab公司上海代表处 武斌 2008.12 WWW.S 目录： • 少子寿命测试的基本原理和方法 • 表面钝化的方法介绍 • 少子寿命测试在光伏领域的应用 • 少子寿命测试仪的介绍 WWW.S 少子寿命测试的基本原理和方法 - 少子寿命的概念 处于热平衡状态下的半导体，在一定温度下，载流子的浓度是一定 的，称为平衡载流子浓度, 如果对半导体施加外界作用,破坏了热 平衡的条件，称为非平衡状态。比平衡状态多出来的这部分载流子 称为非平衡载流子。非平衡载流子分为非平衡多数载流子和非平衡 少数载流子, 对于n型半导体材料，多出来的电子就是非平衡多数 载流子,空穴则是非平衡少数载流子。对p型半导体材料则相反, 产 生非平衡载流子的外界作用撤除以后，它们要逐渐衰减以致消失， 最后载流子浓度恢复到平衡时的值, 非平衡少数载流子的平均生存 时间称为非平衡少数载流子的寿命,简称少子寿命 WWW.S - 少子寿命测试的方法 • 测量方法都包括非平衡载流子的注入和检测两个基本方面。最 常用的注入方法是光注入和电注入，而检测非平衡载流子的方 法很多，如探测电导率的变化，探测微波反射或透射信号的变 化等，这样组合就形成了许多寿命测试方法, 如: 直流光电导 衰减; 高频光电导衰减; 表面光电压; 微波光电导衰减等 • 对于不同的测试方法，测试结果可能会有出入，因为不同的注 入方法，厚度或表面状况的不同，探测和算法等也各不相同。 因此，少子寿命测试没有绝对的精度概念，也没有国际认定的 标准样片的标准，只有重复性，分辨率的概念。对于同一样品 ，不同测试方法之间需要作比对试验, 但比对结果并不理想 WWW.S - μ-PCD法 微波光电导衰减法(μ-PCD法)相对于其他方法，有如下特点： - 无接触、无损伤、快速测试 - 能够测试较低寿命 - 能够测试低电阻率的样品（最低可以测0.1ohmcm的样品） - 既可以测试硅锭、硅棒，也可以测试硅片或成品电池 - 样品没有经过钝化处理就可以直接测试 - 既可以测试P 型材料，也可以测试N 型材料 - 对测试样品的厚度没有严格的要求 - 该方法是最受市场接受的少子寿命测试方法 WWW.S - μ-PCD法的测试原理 Microwave The generated minority generator/detector carriers diffuse in the Si head and antenna and recombine 10 GHz microwave Infrared light pen. depth ~ 500 µm in 1 Ωcm