IGBT驱动电路设计整理.pdfVIP

一种IGBT 驱动电路的设计 IGBT 的概念是 20 世纪 80 年代初期提出的。IGBT 具有复杂的集成结构，它的工作频率可以远高于双极晶体管。 IGBT 已经成为功率半导体器件的主流。在 10 ～100 kHz 的中高压大电流的范围内得到广泛应用。IGBT 进一步简化了 功率器件的驱动电路和减小驱动功率。 1 IGBT 的工作特性。 IGBT 的开通和关断是由栅极电压来控制的。 + 当栅极施以正电压时，MOSFET 内形成沟道，并为 PNP 晶体管提供基极电流，从而使 IGBT 导通。此时从 N 区注 - - 入到 N 区的空穴（少子）对 N 区进行电导调制，减小Ⅳ区的电阻 Rdr ，使阻断电压高的IGBT 也具有低的通态压降。当 栅极上施以负电压时。MOSFET 内的沟道消失，PNP 晶体管的基极电流被切断，IGBT 即被关断。 在 IGBT 导通之后。若将栅极电压突然降至零，则沟道消失，通过沟道的电子电流为零，使集电极电流有所下降， - 但由于 N 区中注入了大量的电子和空穴对，因而集电极电流不会马上为零，而出现一个拖尾时间。 2 驱动电路的设计 2.1 IGBT 器件型号选择 1）IGBT 承受的正反向峰值电压 考虑到 2-2.5 倍的安全系数，可选 IGBT 的电压为 1 200 V。 2）IGBT 导通时承受的峰值电流。 额定电流按380 V 供电电压、额定功率 30 kVA容量算。选用的IGBT型号为SEMIKRON 公司的SKM400GA128D。 2.2 IGBT 驱动电路的设计要求 对于大功率 IGBT，选择驱动电路基于以下的参数要求：器件关断偏置、门极电荷、耐固性和电源情况等。门极电 路的正偏压 VGE 负偏压-VGE 和门极电阻 RG 的大小，对 IGBT 的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及 dv ／dt 电流等参数有不同程度的影响。门极驱动条件与器件特性的关系见表 1。栅极正电压 的变化对 IGBT 的开通特 性、负载短路能力和 dVcE ／dt 电流有较大影响，而门极负偏压则对关断特性的影响比较大。在门极电路的设计中，还 要注意开通特性、负载短路能力和由 dVcE ／dt 电流引起的误触发等问题（见表 1）。 表 1 IGBT 门极驱动条件与器件特性的关系 由于IGBT 的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化，因而驱动电路性能的好坏将直接影响 IGBT 能否正常工作。为使 IGBT 能可靠工作。IGBT 对其驱动电路提出了以下要求。 1）向IGBT 提供适当的正向栅压。并且在 IGBT 导通后。栅极驱动电路提供给 IGBT 的驱动电压和电流要有足够 的幅度，使 IGBT 的功率输出级总处于饱和状态。瞬时过载时，栅极驱动电路提供的驱动功率要足以保证 IGBT 不退出 饱和区。IGBT 导通后的管压降与所加栅源电压有关，在漏源电流一定的情况下，VGE 越高，VDS 傩就越低，器件的导通 损耗就越小，这有利于充分发挥管子的工作能力。但是， VGE 并非越高越好，一般不允许超过 20 V ，原因是一旦发生 过流或短路，栅压越高，则电流幅值越高，IGBT 损坏的可能性就越大。通常，综合考虑取+15 V 为宜。 2）能向IGBT 提供足够的反向栅压。在 IGBT 关断期间，由于电路中其他部分的工作，会在栅极电路中产生一些 高频振荡信号，这些信号轻则会使本该截止的 IGBT 处于微通状态，增加管子的功耗。重则将使调压电路处于短路直通 状态。因此，最好给处于截止状态的 IGBT 加一反向栅压 f 幅值一般为 5 ～15 V），使IGBT 在栅极出现开关噪声时仍 能可靠截止。 3）具有栅极电压限幅电路，保护栅极不被击穿。IGBT 栅极极限电压一般为+20 V ，驱动信号超出此范围就可能 破坏栅极。 4）由于IGBT 多用于高压场合。要求有足够的输人、输出电隔离能力。所以驱动电路应与整个控制电路在电位上 严格隔离，一般采用高速光耦合隔离或变压器耦合隔离。 5）IGBT 的栅极驱动电路应尽可能的简单、实用。应具有 IGBT 的完整保护功能，很强的抗干扰能力，且输出阻抗 应尽可能的低。 2.3 驱动电路的设计 隔离驱动产品