热设计与热分析.pdf

热分析与热设计技术 热与冷都会对电路造成负面影响。在极高温下，芯片可能烧毁（图 1）。 更常见的情况是，如果你的设计达到未曾预料的温度，很多部件都可能超出 规定极限。当出现这种情况时，电路就可能表现出难以预料的行为。另外一 个情况也同样值得关注，即电路温度从热到冷，然后又从冷到热。这种状况 会造成热冲击，也会毁坏元件。很多工程师并不关心自己的电路在低温下的 性能，但这种忽视是一个错误。 半导体器件的性能在低温下会发生显著变化。 双极晶体管的基射结电压在低温下会大大升高（图 2 和参考文献 1）。 Analog Devices 产品开发工程经理 Francisco Santos 说： 如果你要设计一“ 个能够在负温度下工作于 1.8V 的放大器 ，就要考虑当从室温降到 -40 ℃时， V BE （基射电压）会增加 130mV 。这种情况将迫使设计者采用一组完全不同 的放大器架构。 ” 很多放大器， 如 Analog Devices 的 AD8045 ，在冷却时会加速 （图3 ）， 而有些放大器 （如AD8099 ）则在变冷时会降速。 已退休的 Linear Technology 信号处理产品前副总裁兼总经理 Bill Gross 称： 双极晶体管在低温下遇到的“ 多数麻烦是低电压工作。 ”他认为，较高的基射电压和较小的电流增益都更难 于满足规格要求。他说： 较低的输入阻抗和“ b （电流增益）的不匹配都会造 成低温下的大问题。 尤其是当它们为室温运行作了调整时。 较高的 gm （跨导） 很容易通过改变工作电流而得到补偿，但这样的话转换速率就会变化。 ” 低温会造成振荡、不稳定、过冲，以及不良的滤波性能。百万分之几测 量法可以改变你的元件在高温和低温下的值。 如果你预计 IC 内核工作在 -55 ℃ ~ +85 ℃，则在 25 ℃环境下只需 60 ℃就到了最高温度上限，而从环境温 度到 -55 ℃是 80 ℃温差。所以，要查明你的错误就应检查热与冷两种情况。 Kettering 大学（密歇根州 Flint ）电气工程教授 James McLaughlin 认为，当 你将硅片加热超过数百度时，它会 本质化“ ”。换句话说，温度足够高时，掺杂 物会通过晶格作迁移，不再存在 PN 结，而只是一块不纯的导电硅片。那么 连接线是否会爆炸？还是硅片继续加热至熔融，直至挥发掉？ IC 在较高温度下运行时的损坏难以捉摸。 美国国家半导体公司的顾问和 前产品工程师 Martin DeLateur 指出，在高于 165 ℃的温度时，模塑材料开 始碳化。此时，模塑材料会转变成为一种坚硬的灰色材料。释气，即某些材 料捕捉、冷冻、吸收或吸附的气体的缓慢释放，会造成聚合添加物如阻燃剂 的释放。在低电平下，这种释气可以影响一片 IC 的长期和短期运行，因为 它给芯片增加了离子或表面效应。连接线可能传输过高的电流，也会造成模 塑材料的碳化。过高的电流会使碳管硬化，它可能使连接线熔化，从而保持 管内导电状态。最后，更高的热扩张会使钝化层、内核，或碳化模制化合物 产生开裂，导致大规模故障。（军用规范将过高电流定义为超过 2 ，因此军队强烈要求 IC 采用全密封的封装。）当内核上没有 1.2 ×105A/cm 塑料材料时，就不会发生烧焦和退化现象。油井仪器公司经常以 200 ℃对使 用在自己产品中的硅