外场辅助氧化物空位调控新技术及其机理研究.pdfVIP

摘 要 摘 要 氧空位是氧化物材料中最重要的缺陷之一，控制氧空位的分布和浓度， 对于提高材料和器件的性能，包括超导、催化、离子电导率、荧光和电池等， 都是非常关键的。目前在氧化物材料中制造氧空位的方法主要包括：氢化处 理、水热合成，热处理，金属还原法和电场控制离子液体门法等。然而，上 述报道的方法难以实现合成速度快、生成浓度高、空位分布均匀等特点，从 而限制了其在提高材料和器件性能方面的推广应用。 为了解决上述关键问题，本文提出了一种利用耦合电场和热激活在氧化 物材料中制造氧空位的方法。与报道的方法相比，该方法可以简单快速高效 地在材料内制造出在材料的体相中均匀分布的氧空位。 以三元氧化物体系中的SrAl O 长余辉材料为研究对象，通过 STEM 和 2 4 XPS 等表征手段，系统对比证实了外场辅助处理方法可以在 SrAl O 材料中 2 4 制造出体相中均匀分布的一定浓度的氧空位，并结合第一性原理方法，探究 了温度热激活和电场对氧空位产生和分布迁移过程中所起的作用，提出了 “氧空位渗流”模型。经外场辅助处理的 SrAl O 的长余辉性能得到了明显 2 4 提升，其余辉时间长达90h ，是商用材料的2 倍以上。同时，调节电场强度 可以调控材料中氧空位的浓度，优化SrAl O 长余辉材料的性能。通过热释 2 4 光谱等表征和第一性原理计算相结合，也指出了该方法引入合适深度和浓度 的氧空位是提升长余辉性能的关键。 以二元氧化物体系中的 TiO2 为研究对象，结合光谱等一系列的表征手 段，研究了外场辅助的方法可以快速高效的制造出含有一定氧空位浓度的 TiO2 -x ，并表现出优异的锂电性能。外场辅助处理的TiO2 -x 在 0.2C 下比容量 高达240mAh/g ，而且经过长循环比容稳定性良好。 为了进一步说明该研究方法的普适性和有效性，本文又分别以 SnO2 、 ZnO 和 WO3 为研究对象，探究了外场辅助处理在其中引入一定浓度的氧空 位，并引起了电子结构的改变，也为后续开发研究应用起到很好的铺垫作用。 因此可以认为本文研究的外场辅助的方法为缺陷工程改善材料性能带来了 新的可能性，这项工作在许多研究领域都具有普遍的意义。 关键词：氧空位；氧化物；外场辅助；调控；普适性。 I 目 录 目 录 第1 章 引言1 1.1 研究背景及选题意义1 1.2 缺陷化学2 1.2.1 缺陷的种类2 1.2.2 缺陷的标记方法及反应方程式3 1.3 点缺陷-氧空位5 1.3.1 氧空位的应用5 1.3.2 氧空位合成方法13 1.4 论文的主要研究内容和创新点16 1.4.1 研究内容16 1.4.2 关键创新点18 第2 章 实验内容及方法19 2.1 实验材料19 2.2 实验仪器20 2.3 实验过程20 2.4 测试设备和方法21 第3 章 外场辅助在铝酸锶中制造氧空位及其性能的影响23 3.1 外场辅助在铝酸锶中制造氧空位24 3.1.1 实验部分24 3.1.2 结果与讨论28 3.2 外