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北京联合大学 2010 专接本《电子电路基础》试卷（ A）答案 注意：本试卷共六道大题。 题号 一 二 三 四 五 六 总分 题分 35 10 20 15 10 10 核分人 得分 复查人 一、 填空题 ( 每空 1 分，共 35 分) 1． N型半导体中电子为 多数 载流子，空穴为 少数 载流子 ; 2． PN结存在两种电容效应，分别为 势垒 电容和 扩散 电容。 3．给 PN结外加正向电压时， P 区应接 高 电位， N 区应接 低 电位。 4. 场效应管最大特点是输入电阻 高 。 5．稳压二极管是利用 PN结的 电 击穿特性制成的，使用时应加 反偏 电压。 CBO BEO 6. 当温度上升时，晶体管以下参数的变化趋势是： 增大 ；I 增大 ；U 减小 。 7. 共射、共基、共集三种组态放大电路中： （1）希望功率增益增益高，应选择 共射 组态放大电路； （2 ）希望对信号源构成的负载轻，应选择 共集 组态放大电路； （3 ）希望电流增益高且输入输出电压同相，应选择 共集 组态放大电路； （4 ）希望电压增益高且频响特性好，应选择 共基 组态放大电路； 8. 使逻辑函数 F 1 A B C D 值为 1 的各变量取值是（按 A、B、C、D 顺序写）： 0100 ；使 逻辑函数 F 1 A B C D 值为 0 的各变量取值是（按 A、B、C、D 顺序写） 1001 。 9. 有一个逻辑函数 F A B A B ，它的“与非—与非”表达式为 F= A B A B ；“或非- 或非”表达式为 F= A B A B ；“与或非”表达式为 F= A B AB 。 10. 在数字集成电路中 ,TTL 和 CMOS两种类型相比较，一般说来 CMOS 的静态功耗比 TTL 小； CMOS 的传输延迟时间比 TTL 大。 11．2010 个 1 异或后等于 0 ；2010 个 1 同或后等于 1 。 12. 场效应管跨导较双极型晶体管 小 ，其温度特性较双极型晶体管 好 。 13. (25.6875) 10 等于二进制数的 11001.1011，等于 8 进制数的 31.54 , 等于 16 进制数的 19.B 。 14. 十进制数与 BCD码间的转换。 (638) 10 = ( 011000111000 ) 8421BCD 15. 为了保证三极管工作在放大区，要求发射结 正向 偏置，集电结 反向 偏置。 二、单项选择题（在每小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其对应字母填在题干 后的括号内。每小题 1 分，共 10 分） 16. 三极管发 射极工作在 正向 偏置 , 集电极工作在正 向偏置，三极管工作在 状态 。 ( C ) A. 放大状态 B. 饱和状态 C. 截止状态 D. 倒置状态