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模拟电子技术基础-知
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识点总结
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第一章 半导体二极管
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1.本征半导体
1.本征半导体
单质半导体材料是具有 价共价键晶体结构的硅 和锗 。
单质半导体材料是具有 价共价键晶体结构的硅 和锗 。
4 Si Ge
4 Si Ge
导电能力介于导体和绝缘体之间。
导电能力介于导体和绝缘体之间。
特性:光敏、热敏和掺杂特性。
特性:光敏、热敏和掺杂特性。
本征半导体:纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下,本征半导体内
本征半导体:纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下,本征半导体内
的最重要的物理现象是本征激发(又称热激发),产生两种带电性质相反的载流子
的最重要的物理现象是本征激发(又称热激发),产生两种带电性质相反的载流子
(空穴和自由电子对),温度越高,本征激发越强。
(空穴和自由电子对),温度越高,本征激发越强。
空穴是半导体中的一种等效 的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征
空穴是半导体中的一种等效 的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征
+q
+q
晶体中空位,使局部显示 电荷的空位宏观定向运动。
晶体中空位,使局部显示 电荷的空位宏观定向运动。
+q
+q
在一定的温度下,自由电子和空穴在热运动中相遇,使一对自由电子和空穴消失
在一定的温度下,自由电子和空穴在热运动中相遇,使一对自由电子和空穴消失
的现象称为复合。当热激发和复合相等时,称为载流子处于动态平衡状态。
的现象称为复合。当热激发和复合相等时,称为载流子处于动态平衡状态。
2.杂质半导体
2.杂质半导体
在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
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