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2.多集电极管和多发射极管 （1）集电极电流与集电区面积成正比 （2）制作多个具有比较稳定电流关系的电流源 **比例关系可做得很精确** ***多集电极管 （1）常作为门电路的输入级电路 ***多发射极极管 3.肖特基三极管 （1）肖特基三极管结构 **普通三极管由饱和转入截止时间（饱和—放大—截止）较长** **开启电压仅0.3V，正向压降0.4V** **普通三极管集电结并接一个肖特基势垒二极管(SBD)** （2）肖特基二极管SBD特点 **没有电荷存储效应，开关时间短** 1.2.7半导体器件的制造工艺简介 1.半导体二极管/三极管/FET 2.电阻 (1)用三极管基区或发射区扩散形成的体电阻 (2)阻值1千欧,很不经济 3.电容 结反偏时的结电容,小于百皮法 ***半导体器件的封装工艺 集成电子技术基础教程 C J Q 场效应晶体管及其电路分析 第一篇 电子器件基础 1.3.1场效应晶体管结构特性与参数 1、绝缘栅场效应管(IGEFT) NMOS增强型结构示意图与电路符号 （2）三个集：源集，栅（门）集，漏集 （1）二个PN结：衬源，衬漏 工艺特点： 源漏高掺杂 栅绝缘电阻大 NMOS结构 1、绝缘栅场效应管(IGEFT)（续） PMOS增强型结构示意图与电路符号 （2）三个集：源集，栅（门）集，漏集 （1）二个PN结：衬源，衬漏 工艺特点：