(完整版)MOSFET和IGBT区别.docxVIP

MOSFET和 IGBT区别 MOSFET和 IGBT 内部结构不同 , 决定了其应用领域的不同 . 1, 由于 MOSFET的结构 , 通常它可以做到电流很大 , 可以到上 KA,但是前提耐压能 力没有 IGBT 强。 2,IGBT 可以做很大功率 , 电流和电压都可以 , 就是一点频率不是太高 , 目前 IGBT 硬开关速度可以到 100KHZ,那已经是不错了 . 不过相对于 MOSFET的工作频率还是九牛一毛 ,MOSFET可以工作到几百 KHZ,上 MHZ,以至几十 MHZ,射频领域的产 品 . 3, 就其应用 , 根据其特点 :MOSFET应用于开关电源 , 镇流器 , 高频感应加热 , 高频逆变焊机 , 通信电源等等高频电源领域 ;IGBT 集中应用于焊机 , 逆变器 , 变频器 , 电镀电解电源 , 超音频感应加热等领域 开关电源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功 率半导体器件的选择，即开关管和整流器。 虽然没有万全的方案来解决选择 IGBT 还是 MOSFET的问题，但针对特定 SMPS应 用中的 IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的 参考作用。 本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关 ZVS ( 零电压转换 ) 拓扑中的 开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个