压电、介电和静电振荡器 闩锁试验、闩锁效应、静电放电敏感度的分级、数字接口晶体振荡器的功能.pdfVIP

GB/T 12274.1—2020/ IEC 60679-1:2017 A A 附 录 A （规范性） 闩锁试验 A.1 TTL和肖特基电路 为逻辑驱动电路振荡器设计的试验装置应模拟要求的负载条件。优选的TTL 和肖特基试验电路分别 如图A.1 和图A.2 所示。 注： 标准TTL(54/74系列) 高速TTL(54/74 系列) 图A.1 用于TTL 的电路 注： 肖特基逻辑电路(54S/74S) 低功率肖特基逻辑电路(54LS/74LS 系列) 图A.2 用于肖特基逻辑的电路 图A.1 和图A.2 的说明： ——二极管D 为1N916 或1N3064； 17 GB/T 12274.1—2020/ IEC 60679-1:2017 ——二极管DS 为高速肖特基，如1S1993： ——R1 和R2 值取决于负载要求，并可用以下公式计算：   5  V V R1 OL D (A.1) n I IL V R2 OH (A.2) n I IL 式中： n——逻辑门的数量： V ——振荡器输出的低电平电压； OL I ——每个门的低电平输入电流； 1L V ——振荡器输出的高电平电压； OH I ——每个门的高电平输入电流； 1H V 二极管两端的压降。 D 注：图A.1的V =0.65V，图A.2的V =0.45V。