压电式压力传感器(带信号放大解调滤波电路).docxVIP

精品文档 精品文档 随意编辑 随意编辑 精品文档 精品文档 随意编辑 随意编辑 题目：压电式压力传感器的设计 姓名：刘福 班级：3 学号： 1003030321 专业：测控技术与仪器 目录 引言 第一章 传感器基本原理 第二章 传感器的基本要求 第三章 传感器的结构设计 第四章 传感器的参数计算 第五章 测量电路信号处理电路 总结 参考文献 一、引言 此次压电式力传感器主要阐述了压电式力传感器的具体设计过程。 设计过程主要包括设计格式、设计要求及设计过程中有关压电式力传感 器的设计，还有在整个设计过程中的有关计算、与传感器相连的测试电路。 本压电式传感器采用压缩型单项里传感器结构， 利用纵向压电效应进行 工作，在设计中压电材料采用石英晶体。由于安装中需施加预紧力，以保证 该传感器的线性度良好，故留出一定的过载量，本设计中重点考虑了各部分 的面积、刚度等参数，未讨论预紧力的选用范围，可能还存在一些其他因素， 如安装误差等可以影响设计传感器的性能，属于正常范围内，使用中可忽略。 压电式传感器的设计，主要是让同学们了解传感器的设计过程，知道如 何计算一些参数，如何设计尺寸，如何选择材料，把自己学到的知识熟练灵 活的运用起来，活学活用，加深对传感器这门课程的认知。 第一章传感器基本原理 1、基本原理：压电效应 压电式传感器是基于压电效应的传感器。是一种自发电式和机电转 换式传感器。它的敏感元件由压电材料制成。压电材料受力后表面产生电 荷。此电荷经电荷放大器和测量电路放大和变换阻抗后就成为正比于所受 外力的电量输出。常见有以下几种压电效应模型（见图 1） （小纵向效应 ①）横向奴应 （匚）切向效应 图1 压电效应可分正压电效应和逆压电效应。正压电效应是指：当晶体受到某 固定方向外力的作用，内部就产生电极化，同时在某两个表面上产生符号相 反的电荷；当外力撤去后，晶体又恢复到不带电的状态；当外力作用方向 改变时，电荷的极性也随之改变；晶体受力所产生的电荷量与外力的大小 成正比。压电式传感器大多是利用正压电效应制成的。逆压电效应是指对 晶体施加交变电场引起晶体机械变形的现象，又称电致伸缩效应。用逆压 电效应制造的变送器可用于电声和超声工程。压电敏感元件的受力变形有 厚度变形型、长度变形型、体积变形型、厚度切变型、面切变型 5种形式 （见图2） 图2 2、石英的晶体结构为六方晶体系，化学式为 Si02。 定义： x :两平行柱面内夹角等分线，垂直此轴压电效应最强 ，称为电轴。 y :垂直于平行柱面，在电场作用下变形最大，称为机械轴。 z :无压电效应，中心轴，也称光轴。 当在电轴方向施加作用力时，在与电轴x垂直的平面上将产生电荷 ，其大小为 Qx = d11 Fx。 式中：d11 x方向受力的压电系数 Fx――作用力 若在同一切片上，沿机械轴y方向施加作用力Fy,则仍在与x轴垂直的平面上产生电荷 qy, 其大小为Qy=d12Fy a/b 式中：d12 —— y轴方向受力的压电系数 d12=-d11 a、 b 晶体切片长度和厚度 （1）当石英晶体未受外力作用时 ，正、负离子正好分布在正六边形的顶角上 ，形成三个 互成120。夹角的电偶极矩P1、 P2、P3, P1+P2+P3 = 0， 所以晶体表面不产生电荷，即呈 中性。 （2） 当石英晶体受到沿 x轴方向的压力作用时，晶体沿x方向将产生压缩变形，正负电 荷重心不再重合，在x轴的正方向出现正电荷，电偶极矩在y方向上的分量仍为零，不出现电 荷。 （3） 当晶体受到沿 y轴方向的压力作用时，在x轴上出现电荷，它的极性为x轴正向为 负电荷。在y轴方向上不出现电荷。 （4） 如果沿z轴方向施加作用力，因为晶体在x方向和y方向所产生的形变完全相同，所 以正负电荷重心保持重合，电偶极矩矢量和等于零。这表明沿 z轴方向施加作用力，晶体不 会产生压电效应。 ⑷ (b) 3、压电关系表达式： Q=d*F，其中d :压电常数 更一般表达式： 电荷密度q ，（用单位面积受力表示）  其中：i=1,2,3表示晶体极化方向，指的是与产生电荷的面垂直的方向； j=1,2,3,4,5,6表示受力方向，1~3表示x,y.z向受力，4~6表示剪切力方向 如q1表示法向矢量为x的两个面产生的电荷 受x向（拉）力作用后在z方向产生电荷的表达式： 受z向力作用后在z方向产生电荷的表达式： 各表达式见图片： ■压电关系表达式：Q = d:压电常数 更一般表达式：电荷密度缶二（用单住面积受力表才 其中：i = 12?表示晶体极化方向「扌旨的是与产生电荷的面垂直的方向 裹示受力方向.1?3表示y立向受力，4~6表示剪切力方向 ■如q】表示法向矢量为X的两个面产生的电荷 受X向（扌主）力作用后在Z方向产生电荷的表达式：如=￡口 受Z向力