mosfet参数理解及导通,功耗分析.pdfVIP

根据电源谷网站文章整理 MOSFET datasheet 参数理解及其主要特性 来源 :电源谷 作者 :Blash 下文主要介绍 mosfet 的主要参数，通过此参数来理解设计时候的考量 一、场效应管的参数很多，一般 datasheet 都包含如下关键参数： 1 极限参数： I D ：最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。 场效应管的工作电流不应超过 ID 。此参数会随结温度的上升而有所减额。 I DM ：最大脉冲漏源电流。此参数会随结温度的上升而有所减额。 PD ：最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使 用时，场效应管实际功耗应小于 PDSM并留有一定余量。 此参数一般会随结温度的上升 而有所减额。 GS V ：最大栅源电压。 Tj ：最大工作结温。通常为 150 ℃ 或 175 ℃ ，器件设计的工作条件下须确应 避免超过这个温度，并留有一定裕量。 TSTG ：存储温度范围。 2 静态参数 V(BR)DSS ：漏源击穿电压。是指栅源电压 V GS 为 0 时，场效应管正常工作所能承受 的最大漏源电压。这是一项极限参数， 加在场效应管上的工作电压必须小于 V (BR)DSS 。 它 具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。 △ V (BR)DSS/ △ Tj ：漏源击穿电压的温度系数，一般为 0.1V/ ℃。 RDS(on) ：在特定的 V GS （一般为 10V ）、结温及漏极电流的条件下， MOSFET导通 时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了 MOSFET导通时的消耗功率。 此参数一般会随结温度的上升而有所增大。 故应以此参数在最高工作结温条件下的值 作为损耗及压降计算。 GS(th) GS GS(th) V ：开启电压（阀值电压）。当外加栅极控制电压 V 超过 V 时，漏区和 源区的表面反型层形成了连接的沟道。应用中，常将漏极短接条件下 I D 等于 1 毫安 时的栅极电压称为开启电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。 I ：饱和漏源电流，栅极电压 V =0 、 V 为一定值时的漏源电流。一般在微安 DSS GS DS 级。 I GSS ：栅源驱动电流或反向电流。 由于 MOSFET输入阻抗很大， I GSS 一般在纳安级。 3 动态参数 gfs ：跨导。是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比，是栅源电压对漏 极电流控制能力大小的量度。 g fs 与 V GS 的转移关系图如图 2 所示。 总 20 页 第１页 根据电源谷网站文章整理 g Q ：栅极总充电电量。 MOSFET是电压型驱动器件，驱动的过程就是栅极电压的 建立过程， 这是通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现的， 下面将有此方面的详细论 述。 Qgs ：栅源充电电量。 Qgd ：栅漏充电（考虑到 Miller 效应）电量。 Td(on) ：导通延