模电研讨全频带分析.docVIP

模电研讨全频带分析 研究专题三 题日：放人电路的全频带增益特性分析 RS二500Q, RBl=51kQ, RB2=20kQ, RE二2k Q, RL二2kQ, Cl二C2=10uF,晶体管的 hfe二 100, rbbr =80Q, Cb c二lOuF, fT二200MHz, UBE二0. 7V, VCC=12VO ii_+u0_ 图1 cc组态放人电路 要求学生对放人电路的屮频增益、输入电阻、输出电阻、频率特性等主要性能进行分 析、定量计算。需要注意的是放人电路的频率特性分析需要使用三极管的高频模型，从系 统的角度分析整理放人电路的增益函数，根据增益函数，对系统的频率特性进行计算（利 用Mat lab语言或C语言编程计算），绘制放人电路的频率特性曲线。利用EDAT具对电 路进行仿真调试、功能验证，如果条件具备可以电路调试。 1、共集放人电路的屮频特性 图2共集放人电路的h参数等效电路 UB IEQ RB220UCC 12 3.38(V)RB1 RB220 51 TOC \o 1-5 \h \z UB UBE3.38 0.7 1.34(mA)RE2 103 26 10 326hie rbb， (1 hfe) 80 101 2.04(k )IEQ1.34 输入电阻ri^ RBl//RB2//[hie (1 hfe)(RE//RL)] TOC \o 1-5 \h \z 输出电阻 333 12.6(k ) 51 10//20 10〃 [2.04 101 (2//2)] 10 R//RB1//RB2 hiero， (S)//RE 25( )1 hfe 电压增益 101 (2 103 2 103)AU 0.98hie (1 hfe)(RE//RL)2.04 103 101 (2 103 2 103) ri 12.6AU 压增益为AUS 0.98 RS r 0.5 12.60. 94(1 hfe) (RE//RL)考虑信号源内阻时电 电流增益Al 1 hfe 101 2、共集放大电路的频率响应分析 （1）屮频段源电压增益Ausm 图1所示电路，在屮频时Cl、C2可视为交流短路，三极管结电容可忽略，据此可呦出 屮频段电路的等效电路如图3所示。 AusmRi PgmRLRs Ri RBl//RB2//(rbb rb e)rb e gm(RE//RL)Rs RBl//RB2//(rbb rb e)rbb rb e 若把gmrb e 的关系代入上式，可发现上式与共集基本放人器的源电压 增益表达式一致，因为在屮频时混合 型等效电路和h参数等效 A电路是完全等效的。usni是一?个与频率无关的常数。 低频段源电压增益Aus 1 在低频段，要考虑耦合电容Cl、C2的容抗，而三极管结电容可忽略，由此個出的低频 段等效电路如图4所示。 11 RL)]} (1 hfe)[RE//( RL)] RLj C2j C2Ausl RS RBl//RB2//{hie (1 hfe)[RE//( RL)]}hie (I hfe) [RE//( RL)]RL j Clj C2j C2j C2RBl//RB2//{hie (1 hfe)[RE//( j j(1 j 0. 9428 (1 j ) (1 j )) (1 j73.4607)仃 j42.5320 26.0180i) (1 jO. 000042.5320 26. 0180i) 高频段源电压增益Aush -o -o + Uo9 图5共集放人电路的高频等效电路 CC组态放人电路的高频段微变等效电路如图5所示。由图5可见，它是一个包含电容 Cb c、Cb e两个独立电容的电路，对应有两个极 1 OsC点。当s 时，b e,相应的U(s) ，表明有一个s 的极 点，因此它是含有一个零点、两个极点的二阶系统。下血分别讨论Cb c和Cb e对电 路高频响应的影响。 Cb c的影响 由图5可见，Cbc玄接接在b和地之间，即在输入冋路屮不存在’ 共射放人器中的密勒倍增效应。由于Cb c 10 F木身很小，其容抗远人于 (RS rbb ),故Cbc对高频响应的影响很小，可忽略，等效电路简化’ 为一阶系统。 Cb e的影响 在图5中，Cb e是一个跨接在输入端与输岀端的电容，利用密勒 定理将其等效到输入端，则密勒等效电容CM为CM Cb e(l Au),其屮， U Au 0 cube是共集电路的电压增益， 其值小于1而接近于1,故M远小于 Cb e0 可见，由于Cb e的密勒效应远小于Cb e 本身，故Cb e对高频响)2的影响也很小 可以推得共集放人电路的电压增益函数为 AUs(j ) Uo(j )1 j / z AUslJs(j )1 J / P AUs 式屮(1 gmrb e) RL Rs rbb rb e z 1 gmrb