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2.2 场效晶体管 新课 课 题 课型 授课班级 授课时数 2 1．熟悉场效晶体管的分类、 特性曲线、 与普通三极管在性能上的异同点 2．能理解结型场效晶体管的工作原理， 理解它的特性 教学目标 曲线 教学重点 教学难点 课前准备 教后札记  结型场效晶体管的符号、工作特点、特性曲线 转移特性曲线 1.布置预习； 2.备课并制作教学课件。 2-1 A．引入 普通三极管以基极电流的变化控制集电极电流，故称为电流控制器 新课 件，今天分析的是另一种晶体管——场效晶体管。 B．新授课 2.2.1 结型场效晶体管 一、结型场效晶体管的结构和符号 1． N 沟道结型场效晶体管 （ 1）结构特点 ① N 型硅棒引出两个电极：漏极（ d）、源极（ s）。 ② N 型硅棒两侧扩散 P 型区（浓度高） ，形成两个 PN 结。 ③两个 P 型区相连引出电极为栅极（ g）。 ④漏源之间由 N 型半导体构成的导电沟道是电流流通的路径，称为 N 沟道。 （ 2）符号 符号中箭头隐含从 P 指向 N 的意思。 2． P 沟道结型场效晶体管 二、结型场效晶体管的工作原理 以 N 沟道结型场效晶体管为例。 1．电路连接  （学生根据 沟道的结构特点，讨论 P 沟道结型 管 的 结构） 2-2 1）在 gs 间加反向电压 2）在 ds 间加正向电压 2．工作原理 （ 1）当 VGS 0，N 沟道在 VDS 作用下，形成电流 I D，此时，电流 I D 最大。 （ 2）当 │VGS│↑→PN 结受反向偏压 → PN 结加宽 → N 沟道变窄 → 电阻变大 → I D 减小。 （ 3）当 VGS 达到一定值， PN 结变得较宽， 以至 N 沟道被两边 PN 结夹断， 则 ID 0 结论： 1）通过调节 VGS 可控制漏极电流 ID 的变化。 2） P 沟道与 N 沟道工作原理相同（ VGS＞0， VDS＜ 0）。 3） VGS 使 PN 结反偏。 4）场效晶体管只有多数载流子导电，故称为单极晶体管。三、结型场效晶体管的特性曲线和跨导  （讨论） （学生画出 沟道结型 管的电路 图，注意 VGS） （引导与三极管对比，三极管称为双 极 晶 体管） 1．场效晶体管测试电路（ N 沟道为例） 2．转移特性曲线 ——反映 I D 随 VGS 的变化关系 （ 1）当 VGS 0 时， I D 最大，此时为漏极饱和电流I DSS。 2）当 VGS 增大， I D 减小。 3）当 VGS 为某一值， ID = 0，则 VGS 为夹断电压。转移特性曲线  （引导学生 画出 P 沟道 结型管的转 2-3 3．输出特性曲线 ——当 VGS 一定 ID 与 VGS 的关系 1）设 VGS 0， ①当 VGS 0， ID 0。②当 VGS↑， I D↑。 ③当 VDS 再增加， ID 不再增加。 ④当 VDS 超过一定的值， I D 突然增加。 2）当 |VGS|↑，曲线下移。 3）当 VGS 大到夹断电压， ID 0。特性曲线的三个区域： 1）可调节器电阻区：沟道阻值随|VGS| 增大而 减小。 2）饱和区：当 VGS 一定， ID 不随 VDS 变化。 3）击穿区： ID 突然增大。 4．跨导： 反映 VGS 对 I D 的控制能力。 在饱和区内： gm I D （单位 S） VGS 练习 结型场效晶体管的结构、符号、转移特性 小结 习题二 2- 11， 2- 12，2- 13 布置作业  移 特 性 曲 线，并与工 作原理对应 起来理解） 2-4 2.2.2 绝缘栅场效晶体管 复习 课 题 课型 授课班级 授课时数 2 教学目标 教学重点 教学难点 课前准备 教后札记  1．了解绝缘栅场效晶体管的结构、工作原理 2．理解 MOS 管的特性曲线、图形符号、场效晶体管 的主要参数 MOS 管的特性曲线 几种 MOS 管的特性曲线 1.布置预习； 2.备课并制作教学课件。 2-5 A．复习 新课 1．画出 N 、P 沟道结型场效晶体管符号。 2．为什么 N 沟道 VGS＜ 0，且反向电压越大， I D 越小？ 3．什么是夹断电压 VP（ I D 0 时的 VGS）？ 什么是漏极饱和电流（ VGS 0 时的 ID）？ 4．从输出特性曲线上，有几个区域，有什么特点？ B．新授课 一、绝缘栅场效晶体管的结构和工作原理、特性 1． N 沟道增强型绝缘栅场效晶体管 （ 1）结构 特点： P 型衬底扩散两个高浓度 N 型区，引出两电极：源极和漏极。 ② P 型衬底覆盖绝缘层，引出栅极。（ 2）符号 （ 3）工作原理 ① VDS＞ 0（正向电压） 当 VGS 0， ID 0； 2-6 当 VGS