2021室温下少数载流子空穴.ppt

1.5 载流子的扩散运动 扩散运动 ：粒子由 高浓度 处向 低浓度 处的净输运。 扩散运动完全是由粒子浓度不均匀所引起，有 浓度梯度 就有 扩散，扩散是一种 基本的物质运动形式 。 对于一块均匀掺杂的半导体，例如 N 型半导体，电离施主带正 电，电子带负电，由于电中性的要求，各处电荷密度为零，所 以载流子分布也是均匀的，即没有浓度差异，因而 均匀材料中 不会发生载流子的扩散运动。 1.5.1 扩散电流密度 扩散流密度 — 单位时间内通过单位面积的载流子数目 t 1 时刻在晶体内的某一平面上 引入一些载流子，由于载流子热运 动的结果，在 x=0 处原来高密度的 载流子要向外扩散，直至载流子均 匀分布于整个区域内。 扩散流密度 — 单位时间内通过单位面积的载流子数目。 扩散电流密度 — 通过单位面积的 电流（ 单位时间内通过单位面积的电量）， 即单位时间内通过单位面积的 电量 （载流子数目与电荷量的乘积） q ·ΔΦ 电子 空穴 当半导体中既有电子扩散也有空穴扩散时，总的扩散电流密度为 1.5.2 电流密度方程 既有浓度梯度，又有电场作用 若半导体中非平衡载流子浓度不均匀，同时又有外加电场 的作用，那么除了非平衡载流子的扩散运动外，载流子还要作 漂移运动。这时 扩散电流和漂移电流叠加在一起构成半导体的 总电流。 空穴电 流密度 电子电 流密度 1.5.3 杂质浓度梯度及其感生电场 在半导体器件的制造过程中，掺入的杂质浓度分布往往是 非均匀 的，上图 n 型 为例 ? 电子浓度分布与杂质浓度相同，电子浓度 左高右低 ? 电子浓度梯度的存在，导致电子 从左向右的扩散运动 ? 左侧 电子欠缺， 右侧 电子过剩，即出现了由电离施主形成的 净的正电荷 ? 出现了由净的正电荷 指向 净的负电荷的电场，即杂质浓度梯度的 感生电场 ? 在电场的作用下，电子发生 与扩散运动 正好 相反的漂移运动 对于平衡态半导体，扩散与漂移运动最终达到 动态平衡 ，电子的 净输运为零 ，即 爱因斯坦关系 表明了 载流子迁移率和扩散系数之间的关系 ? 迁移率 是反映载流子 在电场作用下移动难易程度 的物理量， ? 扩散系数 反映载流子 存在浓度梯度时扩散难易程度 的物理量 ? 显然迁移率和扩散系数都是由 材料本身的固有特性决定 的，两者 之间存在一定的关系是可以理解的。 例题 假设 T=300K ，一个 N 型半导体中，电子浓度在 0.1cm 的 距离中从 1 × 10 18 cm -3 至 7 × 10 17 cm -3 作线性变化，计算扩散电 流密度。假设电子扩散系数 D n =22.5cm 2 /s 。 解 扩散电流密度为 例 5 ：室温下少数载流子 ( 空穴 ) 于某一点注入一个均匀的 n 型半 导体中，施加一个 50V/cm 的电场于其样品上，且电场在 100us 内将这些少数载流子移动了 1cm 。求少数载流子的漂移速率及 扩散系数。 解：根据题意，空穴的漂移速率为 1 4 v p ? cm/s ? 10 cm/s ? 6 100 ? 10 则空穴的迁移率为 v p 10 4 2 2 ? p ? ? cm / ? V.s ? ? 200cm / ? V.s ? E 50 因此，空穴的扩散系数为 kT 2 2 D p ? ? p ? 0.0259 ? 200cm /s ? 5.18 c m /s q 1.6 非平衡载流子 1.6.1 载流子的产生与复合、非平衡载流子 在 一定温度 下，价带 总有部分电子 具有足够的能量，跃迁到导带，成 为自由电子，同时在价带形成等量的空穴，这样就产生了一定数量的 电子 —— 空穴对 。同时，导带电子也会落回价带，与空穴相遇而消失， 称为 载流子的复合 。 载流子的产生与复合是一个不断进行的 动态过程 。在 热平衡 条件下，半导体 中的 载流子浓度保持恒定 。这就意味着，在热平衡条件下， 载流子的产生与 复合处于动态平衡 。 单位时间单位体积内产生或复合的载流子数分别称为 产生率 和 复合率 。产生 率（记为 G ）和复合率（记为 R ）是 相等 的， 对于处于 热平衡态 的半导体，质量作用定律式成立，即 条件： 对半导体施加一定的外场，如用高 能 光子照射半导体． 过程： 部分价带电子吸收光子能跃迁到导带 成为自由电子。 结果： 同时在价带形成相同数量的空穴。 这种方式产生的载流子称为光产生或光注入 的