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第七章 硅薄膜材料 提 纲 7.1 非晶硅薄膜材料 ? ? ? 非晶硅薄膜的特征及基本性质 非晶硅薄膜的制备 非晶硅薄膜的缺陷及钝化 多晶硅薄膜的特征和基本性质 多晶硅薄膜的制备 多晶硅薄膜的晶界和缺陷 7.2 多晶硅薄膜材料 ? ? ? 之特征及基本性质 ? 非晶硅薄膜太阳能电池的优点 ① 材料和制造工艺成本低 首先非晶硅薄膜太阳电池采用廉价的衬底材料 上，如玻璃、不锈钢、塑料等；其次，其薄膜 仅有数百纳米厚度；最后，非晶硅的规模生产 的能耗小。以上三点均可以大幅度降低成本。 ② 易于形成大规模生产能力 ③ 多品种和多用途 ④ 易实现柔性电池 非晶硅可以制备成轻型、柔性太阳电池，易 于和建筑集成。 ? 非晶硅薄膜太阳能电池的不足 在实际生产线上其效率不超过 10% 及稳定性较差 柔性太阳能电池 之特征及基本性质 ? 薄膜非晶硅的基本特征和性质 1 ）非晶硅的原子在数纳米甚至更小的范围内呈有限的短 程周期性的重复排列，但从长程结构来看，原子排列是 无 序 的。 2 ）共价键显示连续的 无规则的网络结构 。 3 ）其物理性质具有 各向同性 。 4 ）非晶硅中室温下其电阻率很高。 5 ）非晶硅的禁带宽度为 1.5eV ，且在一定程度上 可调 。 6 ）非晶硅的密度、电导率、禁带等性质可以 连续变化 和 调整 。 7 ）在合适的热处理条件下，非晶硅可以转化为多晶硅、 微晶硅和纳米硅 。 非晶 多晶 晶体 之制备 ? 非晶硅薄膜制备的关键问题及解决方法 单体的非晶硅本身并不具有任何重要的光伏性质。如果没有周期性 的束缚力，则硅原子很难与其他四个原子键合。这使材料结构中由 于不饱和或“悬挂”键而出现微孔。再加上由于原子的非周期性排 列，增加了禁带中的允许态密度， 结果就不能有效地掺杂半导体或 得到适宜的载流子寿命 。 解 决 方 法 问题 辉光放电分解硅烷 (SiH 4 ) 基本原理 ： SiH 4 分解产生的 H 2 填补了膜内部微孔中的悬挂键及 其 他结构缺陷 之制备 ? 辉光放电的基本原理 在真空系统中通入稀薄气体，两电极之间将形成放电电流从而产生辉光 放电现象。 能实现辉光放电的 两个区域 辉光放电系统的 I-V 特性曲线 之制备 ? 辉光放电的基本原理 起作用区 特点 ：电子和正离子基 本满足电中性条件，处 于等离子状态 电子被加速方向 辉光放电系统的辉光区示意图 在辉光放电过程中，等离子体的温度、电子的温度和电子的浓度是关键因 素。一般而言，辉光放电是低温过程，等离子体的温度在 100 ～ 500 ℃， 而电子的能量在 1 ～ 10eV 左右，电子的浓度达到 10 9 ～ 10 12 /cm3 ，电子的 温度达到 10 4 ～ 10 5 K 。 之制备 ? 等离子增强化学气相沉积制备非晶硅 反应方程式 负极 SiH 4 → Si + 2H 2 非晶硅的性能对制备的条件十 分敏感，不同的设备都需要独 特的优化工艺，才能制备出高 正极 质量的非晶硅。一般而言，衬 度温度在 200 ～ 300 ℃，功率 在 300 ～ 500 W/m 2 时，比较适 等离子增强化学气相沉积系统的结构示意圈 宜制备非晶硅。 之缺陷与钝化 ? 非晶硅薄膜的主要缺陷种类 1 ）悬挂键 2 ） Si-Si 弱键 图中表明悬挂键是怎样 产生以及怎样被氢钝化 使非晶硅的电学性能不易控制 ? 氢的作用 1 ）氢能够很好地和悬挂键结合，呈饱和悬挂键，降低其缺陷密度，去除其电 学影响，达到了钝化非晶硅结构缺陷的目。 2 ）氢的加入可以改变非晶硅缺陷态的密度及非晶硅的带隙宽度。 3 ）过量的氢在非晶硅中能够产生光致衰减的缺陷（ 副作用 ） Staebler-Wronski 效 应（ S-W 效应） 之特征及基本性质 ? 多晶硅薄膜太阳能电池的特点 1 ）低成本 2 ）使用性能稳定 3 ）效率较高 实验室效率已达 18% （ 日本三菱电机 ） 4 ）无毒（毒性小）和材料资源丰富的优势 有望成为续单晶硅太 阳能电池之后的下一 代太阳电池 ? 多晶硅薄膜的研究重点 其一，是如何在廉价的衬底上能够高速、高质量地生长多晶硅薄膜； 其二，是制备电池的工艺和方法，以便选用低价优质的衬底材料。比较合适 的衬底材料为一