薄膜在cigsthinfilmsolarcells的应用.ppt

1 薄膜在 CIGS thin film solar cells 的應用 指導教授：許進明 學生：林怡君 學號： M97L0224 2 Outline ? 薄膜太陽能電池的種類 ? CIGS 簡介 ? CIGS 優勢條件 ? CIGS 太陽能電池元件結構 ? Nanosolar 薄膜太陽能電池 ? 引用 3 薄膜太陽能電池的種類 (1) 非晶矽 (Amorphus Silicon , a-Si) (2) 微晶矽 (Nanocrystalline Silicon ， nc-Si ， or Microcrystalline Silicon ， uc-Si) (3) 銅銦硒化物 ( CIGS /CIS) (4) 碲化鎘 (CdTe) (5) 多接面砷化鎵 (GaAs Multijuction) (6) 有機導電高分子 (Organic solar cells) (a) 染料敏化 (Dye-Sensitized Solar Cell , DSSC) (b) 高分子 (polymer) 4 CIGS 簡介 ? 銅銦鎵硒 CIGS(Copper Indium Gallium Selenium) 屬 於化合物半導體， CIGS 隨著 銦鎵含量的不同 ，其光吸 收範圍可從 1.02ev 至 1.68ev 。 ? 若是利用聚光裝置的輔助，目前轉換效率已經可達 30% ， 標準環境測試下元件轉換效率 19.5% ，採用軟性塑膠基 板的最佳轉換效率也已經達到 14.1% 。 ? 美國「 Nanosolar 」公司達成重大突破，研發 出 roll to roll 的方式 -CIGS 薄膜太陽能電池，不僅 輕巧 、 可塑性 高 ，更適合 大量生產 ，能大幅 降低成本 。 5 CIGS 優勢條件 ? 優於單晶光伏元件的要 素 : (1) 成本低 (2) 製程能源需求低 (3) 大面積元件高效率 (4) 量產成品高良率 (5) 應用範圍廣泛 ( 玻璃基板、不銹鋼、 塑膠聚合物、錫箔等 可撓式基板 ) 。 ? 優於其他薄膜光伏元件的要 素 : (1) 元件轉換效率最高 (2) 穩定度與抗輻射特性良好 (3) 無環境污染以及量產阻礙 問題 (4) 無法克服劣質 p 型吸收層 歐姆接點 6 CIGS 太陽能電池元件結構 Glass / Stainless Steel / Polymer 基板 CIGS (1.5~2μm) Mo (0.5~1.5μm) 背電極 吸收層 CdS(0.05μm) 緩衝層 i- ZnO(0.05μm) 純質氧化鋅 TCO (ZnO:Al)(0.5~1.5μm) 透明導電層 頂端電極 Ni / Al Sputter ? Vacuum method ? Non-Vacuum method Chemical Bath deposition Sputter 7 CIGS 太陽能電池元件結構 ? 通常使用 鈉玻璃 (Soda-lime) 基板，鈉玻璃除了價格便宜 外，熱膨脹係數與 CIGS 吸 收層薄膜相當接近 。 ? 在成長薄膜時，因基板溫度 接近鈉玻璃的玻璃軟化溫度， 所以鈉離子將會經過鉬金屬 薄膜層擴散至吸收層。 ? 當鈉離子跑至 CIGS 薄膜時， 會使薄膜的 晶粒變大 ，且 增 加導電性 ， 降低串聯電阻。 Glass / Stainless Steel / Polymer 8 CIGS 太陽能電池元件結構 ? 利用直流濺鍍或者電子 束蒸鍍的方式沈積一層 鉬 (Mo) 當作背電極，接 正極。 ? 鉬金屬與 CIGS 薄膜具有 良好之歐姆接觸特性， 此外鉬金屬薄膜具有高 度的 光反射性 、 低電阻 。 Glass / Stainless Steel / Polymer Mo (0.5~1.5μm) 9 CIGS 太陽能電池元件結構 ? 吸收層 CIGS 本身具黃銅礦 結構 (Chalaopyrite) ，可以藉 由化學組成的調變直接得到 P-type 或者是 N-type 。 ? Vacuum method (1) 共蒸鍍 (Co-evaporation) (2) 濺鍍 (Sputtering ) ? Non-Vacuum method (1) 電鍍 (Electrodeposition) (2) 塗佈製程 (Coating Process) Glass / Stainless Steel / Polymer CIGS (1.5~2μm) Mo (0.5~1.5μm) 10 Vacuum method- Co-evaporation 1. In, Ga and Se were Co evaporated at 400 ℃ 2. Cu and Se were code