2021硅片的制造工艺.ppt

Advance Wireless Semiconductor Division HunterSun Electronics Co., Ltd. Confidential and Proprietary CZ 基本工艺 现有的 CZ 都采用氩气气氛减压拉晶 。利用通入惰性气体氩气，结合真 空泵的抽气，形成一个减压气氛下 的氩气流动。氩气流带走高温熔融 硅挥发的氧化物，以防止氧化物颗 粒掉进硅熔液，进而运动到固液界 面，破坏单晶原子排列的一致性。 减压气氛的压力一般为 12-20Torr ，氩 气的流量为 45-80slpm 。 拉晶过程中的保护气流 减压拉晶 : CZ 过程需要惰性气体保护！ Advance Wireless Semiconductor Division HunterSun Electronics Co., Ltd. Confidential and Proprietary 单晶炉提供减压气氛保护、机械运动和自动控制系统 ? 减压气氛保护： 通过上炉筒、副室、炉 盖、主炉室 和下炉室形成减压气氛 保持系统。 ? 机械运动： 通过提拉头和坩埚运动系统提供晶 转、晶升、埚转、埚升系统。 ? 自动控制系统 通过相机测径、测温孔测温、自动 柜控制组成单晶拉制自动控制系统。 Advance Wireless Semiconductor Division HunterSun Electronics Co., Ltd. Confidential and Proprietary 单晶炉、热场构造及自动控制 1 提拉头： 晶升、晶转系统，磁流体系统等； 2 上炉筒： 提供晶棒上升空间； 3 副室： 提肩装籽晶掺杂等的操作空间； 4 炉盖： 主炉室向副室的缩径； 5 主炉室： 提供热场和硅熔液的空间； 单晶炉结构 Advance Wireless Semiconductor Division HunterSun Electronics Co., Ltd. Confidential and Proprietary 单晶炉、热场构造及自动控制 6 、 7 下炉室： 提供排气口和电极穿孔等； 8 上炉筒提升系统： 液压装置，用于上炉筒提升； 9 梯子： 攀登炉顶，检查维修提拉头等； 10 观察窗： 观察炉内的实际拉晶状态； 单晶炉结构 Advance Wireless Semiconductor Division HunterSun Electronics Co., Ltd. Confidential and Proprietary 11 测温孔： 测量对应的保温筒外的温度； 12 排气口： 氩气的出口，连接真空泵； 13 坩埚升降系统： 坩埚升降旋转系统等； 14 冷却水管组： 提供冷却水的分配。 Advance Wireless Semiconductor Division HunterSun Electronics Co., Ltd. Confidential and Proprietary ? 报警灯： 异常情况时发出声光报警； ? 主操作屏： 主要操作在此进行； ? 状态指示面板： 各电磁阀状态； ? 手动按钮： 手动机械提升操作； ? CCD 图像： 相机的图像及取样范围； 控制柜简介 Advance Wireless Semiconductor Division HunterSun Electronics Co., Ltd. Confidential and Proprietary Flat 与 Notch 的区别 Advance Wireless Semiconductor Division HunterSun Electronics Co., Ltd. Confidential and Proprietary 晶向非常重要，因为它 决定了在硅片中晶体结构的 物理排列是怎样的。不同晶 向的硅片的化学、电学和机 械性质都不一样，这会影响 工艺条件和最终的器件性能 。如果晶体是单晶结构，那 么所有的晶胞就都会沿着这 个坐标轴重复地排列。 晶向 晶胞的坐标轴方向 Advance Wireless Semiconductor Division HunterSun Electronics Co., Ltd. Confidential and Proprietary 硅 晶 体 平 面 上 的方向由一套称做 密 勒指数 的参数所描。 在密勒系统的符号里 ，小括号（）用来表 示特殊的平面，而尖 括号＜＞表示对应的 方向。 （ 100 ） Optical Navigation Division Advanced Wireless Semiconductor Division 硅片的制造工艺 杨晓玲 2014 年 12 月 26 日 Adv