2021磁控溅射镀膜工艺介绍.ppt

磁控溅射镀膜工艺简介 讲解人：陈智顺 讲解时间：? 使 chamber 达到真空条件，一 般控制在 (2~5)E-5torr ? chamber 内通入 Ar （氩气）， 并启动 DC power ? Ar 发生电离 Ar ? Ar+ ＋ e - ? 在电场作用下， electrons （电 子）会加速飞向 anode （阳极） ? 在电场作用下， Ar+ 会加速飞 向 阴 极 的 t a r g e t （ 靶 材 ） ， target 粒子及二次电子被击出， 前者到达 substrate （基片）表 面进行薄膜成长，后者被加速至 阴极途中促成更多的电离。 垂直方向分布的磁力线将电子约束在靶材表面附近，延长其在等离 子体中的运动轨迹，提高它参与气体分子碰撞和电离过程的几率的 作用。 接地 - V(DC ) 至真空泵 Ar ? 磁控溅射镀膜－溅射原理 ? 磁控溅射镀膜－磁控阴极 相对蒸发镀，磁控溅射有如下的特点： ? 膜厚可控性和重复性好 ? 薄膜与基片的附着力强 ? 可以制备绝大多数材料的薄膜，包括合金， 化合物等 ? 膜层纯度高，致密 ? 沉积速率低，设备也更复杂 按照电源类型可分为 ： ? 直流溅射： ? 中频溅射： ? 射频溅射： 不同溅射方式的比较 DC 电源 RF 电源 MF 电源 可镀膜材料 导电材料 非导电材料 非导电材料 靶材形状 平面单靶 平面单靶 孪生靶 频率 0 HZ 13.65MHZ 24 KHZ 可靠性 好 较好 较好 ? 磁控溅射镀膜 ? 磁控溅射镀膜 反应溅射 ? 在溅射镀膜时，有意识地将某种反应性气 体如氮气，氧气等引入溅射室并达到一定 分压，即可以改变或者控制沉积特性，从 而获得不同于靶材的新物质薄膜，如各种 金属氧化物、氮化物、碳化物及绝缘介质 等薄膜。 ? 直流反应溅射存在靶中毒，阳极消失问题， 上个世纪 80 年代出现的直流脉冲或中频孪 生溅射，使反应溅射可以大规模的工业应 用。 反应溅射模拟图 中频孪生反应溅射 反应溅射的特点 ? 反应磁控溅射所用的靶材料（单位素靶或多元素 靶）和反应气体（氧、氮、碳氢化合物等）通常 很容易获得很高的纯度，因而有利于制备高纯度 的化合物薄膜。 ? 反应磁控溅射中调节沉积工艺参数，可以制备化 学配比或非化学配比的化合物薄膜，从而达到通 过调节薄膜的组成来调控薄膜特性的目的。 ? 反应磁控溅射沉积过程中基板温度一般不会有很 大的升高，而且成膜过程通常也并不要求对基板 进行很高温度的加热，因而对基板材料的限制较 少。 ? 反应磁控溅射适合于制备大面积均匀薄膜，并能 实现对镀膜的大规模工业化生产。 反应溅射的应用 ? 现代工业的发展需要应用到越来越多的化 合物薄膜。 ? 如光学工业中使用的 TiO2 、 SiO2 和 TaO5 等 硬质膜。 ? 电子工业中使用的 ITO 透明导电膜， SiO2 、 Si2N4 和 Al2O3 等钝化膜、隔离膜、绝缘膜。 ? 建筑玻璃上使用的 ZNO 、 SnO2 、 TiO2 、 SiO2 等介质膜 真空系统的基本知识 ? 真空的定义：压力低于一个大气压的任何气态空间，采用 真空度来表示真空的高低。 ? 真空单位换算： 1 大气压 ≈1.0 × 10 5 帕 =760mmHg （汞柱） =760 托 ? 1 托 =133.3pa=1mmHg ? 1bar=100kpa ? 1mbar=100pa ? 1bar=1000mbar ? TCO 玻璃 =Transparent Conductive Oxide 镀有透明导电氧 化物的玻璃 ? TCO 材料： ? SnO2:F(FTO fluorine doped tin oxide 氟掺杂氧化锡 ) ? ZnO:Al(AZO aluminum doped zinc oxide 铝掺杂氧化锌 ) ? In2O3:Sn(ITO indium tin oxide 氧化铟锡 ) TCO 薄膜的种类及特性 ? TCO 薄膜为晶粒尺寸数百纳米的多晶层，晶粒取向单 一。目前研究较多的是 ITO 、 FTO 和 AZO 。电阻率达 10 -4 Ω? cm 量级，可见光透射率为 80% ～ 90% 。 ? FTO(SnO 2 ︰ F) ：电阻率可达 5.0 × 10 -4 Ω? cm ，可见光透 过率 ＞ 80% 。 ? ITO(In 2 O 3 ︰ Sn) ：电阻率可达 7.0 × 10 -5 Ω? cm ，可见光 透过率 ＞ 85% 。 ? AZO(ZnO ︰ Al) ：电阻率可达 1.5 × 10 -4 Ω? cm ，可见光 透过率 ＞ 80% 。 TCO 薄膜的制备工艺 ? 薄膜的性质是由制备工艺决定的，改进制 备工艺的努力方向是使制成的薄膜电阻