稀土離子摻雜納米材料的特性研究.docVIP

稀土離子摻雜納米材料的特性硏究 納米材料的硏究近年來取得突飛猛進的發展，在或民經濟和人們日常生活中得到『廣泛的應 用。結合這一硏究熱點和我國作爲世界稀土笫一人國的資源優勢，近兩年來我們針對稀土離子摻雜 納米材料的特性展開來深入的硏究。該工作不僅具有重要的學士意義，|何且有望得到一種新型的高 效的發光材料和探索新的顯示器件。 納米晶有非常好的單相結構，納米晶內部位元錯密度很低，缺陷都趨於表面。30mn與5nm納 米晶的猝滅濃度都比體材料高，而且30nm的YO:Eu微晶與5nm相比，有更高的猝滅濃度。通過 選擇激發不同格位的孤立的Ef離子和選擇激發處於相鄰格位(C3i—G)的E十離子對，測量Ef的 5Do-?F2躍遷壽命來硏究立方Y2O3納米晶中G和C?兩種格位Eu離子之間的能量傳遞。處於相鄰 陽離子格位的Eu離子之間存在快速的能量傳遞過程。|何且相鄰格位的Eu離子之間的能量傳遞速 率比孤立的6格位到G格位元的能量傳遞速率快得多。納米晶與體材料相比，體猝滅中心數目很 少，對發光起猝滅作用的主要是表面猝滅中心，孤立的兩種格位的Ef離子的能量傅遞速率很小， 只有當Eu的摻雜濃度提高，使Ef處於相鄰格位的幾率增人到足以形成連接到表面的能量傳遞網 時，發光猝滅才發生，所以納米Y2O3：Eu與體材料相比有更高的猝滅濃度。實驗結果表明30nm與 5nm納米晶的猝滅濃度都比體材料高，而且30nm的X