材料科学工程进展：导电高分子.ppt

导电高分子 导电高分子的结构特征及导电机理 导电高分子的主要性能 导电高分子的合成方法 典型的导电高分子 导电高分子领域的突破性研究进展 (1) 对掺杂本质的认识及孤子导电机理的提出 (2) 可溶性导电高分子 (3) 聚合物发光二极管 (4) 导电高分子的多功能化 导电高分子实用化面临的挑战 目前已经可以通过结构修饰、掺杂诱导、乳液聚合和化学复合等方法获得可溶性或水溶性的导电高分子。 1992年美国的UNIAX公司研制了柔韧可弯曲的聚合物发光二极管。该二极管的第一层是聚对苯二甲酸乙酯；第二层为聚苯胺薄膜(正电极)；而第三层是发光薄膜和钙膜(负电极)。 * * * 日本筑波大学材料学院的化学教授白川英树（Hidekishirakawa） 美国费城宾夕法尼亚大学的化学教授马克迪尔米德 (Alan.G.MacDiarmid) 加利福尼亚大学固体聚合物和有机物研究所的物理学教授黑格尔 (Alan.J.Heeger) 导电高分子的结构特征及导电机理 导电高分子的主要性能 导电高分子的制备方法 典型的导电高分子 导电高分子研究领域取得的突破性进展 导电高分子实用化面临的挑战 交替的单键和双键共轭结构 导电高分子都有一个长程的π-电子共轭主链，因而又称为共轭聚合物。这一π-电子共轭体系的成键和反键能带之间的能隙较小，大约为1.5~3.0 eV，接近无机半导体中导带和价带之间的能隙。 导电高分子的导电机理:掺杂 在共轭聚合物分子中σ电子是无法沿主链移动的，而π电子虽较易移动，但也是定域化的，因此必需移去主链上部分电子(氧化)或注入数个电子(还原)，而这些空穴或额外电子在共轭聚合物链上的移动，赋予了共轭聚合物导电性。 无机半导体中的掺杂是原子的替代，但在导电聚合物中，掺杂是氧化/还原过程，其掺杂的实质是电荷的转移。 无机半导体的掺杂量极低(万分之几)，而导电聚合物的掺杂量很大，可以高达50%。 在无机半导体中没有脱掺杂过程，而在导电聚合物中，不仅存在脱掺杂过程，而且掺杂/脱掺杂过程是完全可逆的。 氧化掺杂 (p-doping): [CH] n + 3x/2 I2 —— [CH]n x+ + x I3-还原掺杂 (n-doping): [CH] n + x Na —— [CH]n x- + x Na+  (1) 宽的电导率范围 一般来说，根据材料的导电性能，材料可分为： 绝缘体（电导率≤10-10 S·cm-1） 半导体（电导率：10-10 ~10-2S·cm-1） 导体（电导率：102~106 S·cm-1） 超导体（ 电导率趋向于无穷大） 导电高分子实现了从绝缘体到半导体，再到导体的变化，这也是迄今为止的任何材料都无法比拟的。 (2)导电高分子具有独特的掺杂和脱掺杂特性，且掺杂/脱掺杂过程完全可逆。 聚苯胺的掺杂/脱掺杂过程对应的颜色变化 (3)导电高分子具有π-共轭结构，因此它具有响应速度快和高的三阶非线性光学系数。 化学氧化聚合 电化学聚合 (1)聚乙炔 1977年发现碘或者五氟化砷掺杂的聚乙炔膜具有金属的电导。 (2) 聚苯胺 聚苯胺主要特点是原料廉价易得，合成简单，同时具有良好的环境稳定性。 (3)聚吡咯 聚吡咯容易合成，且电导率也很高；但价格较高。 (4)聚噻吩 相对于其它几种导电高分子而言，聚噻吩类衍生物具有可溶解，高电导率和高稳定性等特点。 1979年W.P.Su, J.R.Schrieffer和A. J. Heeger等人提出了孤子理论。根据这一理论，孤子、极化子和双极化子被视为导电高分子的载流子。