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第四章热电探测器件 不同材料热敏电阻的温度特性 热敏电阻的灵敏面是一层由金属或半导体热敏材料制成的厚约0.01mm的薄片，粘在一个绝缘的衬底上，衬底又粘在一金属散热器上。使用热特性不同的衬底，可使探测器的时间常数由大约1ms变到50ms。因为热敏材料本身不是很好的吸收体，为了提高吸收系数，灵敏面表面都要进行黑化。早期的热敏电阻是单个元件接在惠更斯电桥的一个臂上。现在的热敏电阻多为两个相同规格的元件装在一个管壳里，一个作为接收元件，另一个作为补偿元件，接到电桥的两个臂上，可使温度的缓慢变化不影响电桥平衡。 热敏电阻结构示意图 热敏电阻的接电电路 工作时，或按上图a接成桥式电路，或按上图b以补偿元件为负载接放大器。图中RT1为接收元件，RT2为补偿元件，R1、R2、R3为普通电阻。对于图b，如果有入射辐射，则热敏电阻的电阻将因温升而产生一微量变化dRT，于是所产生的信号电压为 i：电流 如果入射辐射使元件产生的温升为ΔT，则元件的电阻温度系数为 则 热敏电阻的电压响应率为： 由上式可知，要使热敏电阻的电压响应率大，电流 i、电阻温度系数α、热敏电阻RT、吸收系数η都要大，热导G、热辐射的交变频率ω、热容CH都要小，但这些量是受诸因素制约的，只能折中选取，而不能任意增减。 1） 由于要求放大器的输入阻抗要远大于RT，这就限制了RT不能任意的大。另外，假如RT很大，那它和引线的杂散电容和放大器输入电容等所构成的电路时间常数就有可能大于热时间常数。这时，将使频率特性变坏。 ??? 2） α决定于材料。对于大多数金属，α≈l/T。对于大多数半导体，在某有限温区内α≈3000/T2。所以，通过致冷可提高α。 ??? 3） 为了提高η，要使灵敏面表面黑化。 4） 为了减小G，可使接收元件装在一个真空的外壳里。但G小，热时间常救τT（＝CH/G）要变大，频率特性要变坏。所以，权衡利弊，有的为了提高频率特性，宁可牺牲一些响应率，而把热敏电阻粘在一块热导率很大的衬底上以取得小的时间常数。 ??? 5） i不能很大，因i若较大，产生的焦耳热会使元件温度提高，如果α是负，还可能因为RT变小而产生破坏性的热击穿。另外，i大了噪声也要随之增大。所以，这就限制了i的取值。 限制热敏电阻最小可探测功率的主要因素是与元件电阻有关的约翰逊噪声和与辐射吸收、发射有关的温度噪声。在室温下，热敏电阻的噪声等效功率可达10-6～10-9W·Hz-1/2，在致冷到液氦温度（3K）时，可达10-13～10-14W·Hz-1/2。 除了热敏电阻的测辐射热计外，还有超导测辐射热计、碳测辐射热计和锗测辐射热计等。 超导测辐射热计是利用某些金属或半导体，从正常态变为超导态时，电阻发生巨大变化这一特性来工作的。超导材料多为铌、钽、铅或锡的氮化物，在15～20K时变为超导体。在转变期内的温度仅为几分之一开氏温度，电阻温度系数约每度5000%。但保持住转变期温度，所需的致冷量很大，控制复杂，目前这种探测器还不太可能在实验室外使用。 碳测辐射热计已用于极远的红外波段的分光考察。灵敏元件是从碳电阻上切下来的一小块，致冷到2.1K时，其D*要比热敏电阻测辐射热计高一个数量级。 ??? 锗测辐射热计的灵敏元件是锗掺镓单晶。致冷到2.1K时，其D*比热敏电阻测辐射热计约高1～2个数量级，它的光谱响应可延伸致1000μm以外。 热释电器件 热释电器件是一个以热电晶体为电介质的平板电容器。因热电晶体具有自发极化性质，自发极化矢量能够随着温度变化，所以入射辐射可引起电容器电容的变化，从而可利用这一特性来探测变化的辐射。 结构原理 热电晶体是压电晶体中的一种，具有非中心对称的晶体结构。自然状态下，在某个方向上正负电荷中心不重合，从而晶体表面存在着一定量的极化电荷，称为自发极化。晶体温度变化时，可引起晶体的正负电荷中心发生位移，因此表面上的极化电荷即随之变化。从而使偶极矩发生变化，也就是自发极化强度和面束缚电荷发生变化，在垂直于极轴的两个端面之间出现极小的电压变化，即产生了热释电效应。 第四章 热电探测器件 前面所讲的光电检测器件是基于光量子效应工作的器件。而热电传感器是基于某些物理效应将温度的变化转换为电量变化的一种检测器件。 热电探测器件工作的物理过程是，器件吸收入射辐射功率产生温升，温升引起材料各种有赖于温度的参量的变化，监测其中一种性能的变化，来探知辐射的存在和强弱。这一过程比较慢，一般的响应时间多为毫秒级。另外，热电探测器件是利用热敏材料吸收入射辐射的总功率产生温升来工作的，而不是利用某一部分光子的能量，所以各种波长的辐射对于响应都有贡献