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Word Word 文档 第三章扩散工艺 在前面“材料工艺”一章，我们就曾经讲过一种叫“三重扩散”的工艺，那是对 衬底而言相同导电类型杂质扩散。这样的同质高浓度扩散，在晶体管制造中还常 用来作欧姆接触，如做在基极电极引出处以降低接触电阻。除了改变杂质浓度， 扩散的另一个也是更主要的一个作用， 是在硅平面工艺中用来改变导电类型， 制 造PN结。 第一节扩散原理 扩散是一种普通的自然现象，有浓度梯度就有扩散。扩散运动是微观粒子原 子或分子热运动的统计结果。在一定温度下杂质原子具有一定的能量，能够克服 某种阻力进入半导体，并在其中作缓慢的迁移运动。 扩散定义 在高温条件下，利用物质从高浓度向低浓度运动的特性， 将杂质原子以一定 的可控性掺入到半导体中，改变半导体基片或已扩散过的区域的导电类型或表面 杂质浓度的半导体制造技术，称为扩散工艺。 扩散机构 杂质向半导体扩散主要以两种形式进行： .替位式扩散 一定温度下构成晶体的原子围绕着自己的平衡位置不停地运动。 其中总有一 些原子振动得较厉害，有足够的能量克服周围原子对它的束缚，跑到其它地方， 而在原处留下一个“空位”这时如有杂质原子进来，就会沿着这些空位进行扩散， 这叫替位式扩散。硼（B）、磷（P）、砷（As）等属此种扩散。 间隙式扩散 构成晶体的原子间往往存在着很大间隙， 有些杂质原子进入晶体后，就从这 个原子间隙进入到另一个原子间隙，