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模拟电子技术期中试卷（一） 一、选择题。 （每题 3 分，共 36 分） 在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于 _______。 A.掺杂工艺 B.温度 C.杂质浓度 D.晶体缺陷 2. 在某放大电路中 , 晶体管三个电极的电流如图所示，已量出 I1 1.2mA, I 2 0.02mA, I 3 1.22mA由此可知对应电极①是 ______。 A. 发射 B. 基极 C. 集电 D. 不定 晶体三极管 用来放 大时 , 应使发 射结处 于 _______偏置 , 集 电结处于 _______偏置 . A. 正向 ,反向 B.反向 ,正向 C.反向 ,反向 D. 不定 如果在电路中测出某 NPN 管三个电极对地电位分别 为:VE 1.0V ; VB 1.65V ;VC 1.3V , 则该管工作在 ______区。 A. 放大B. 饱和 C. 截止 D. 击穿 5.PNP型晶体三极管处于放大状态时 , 各级电位关系正确的是 ______。 A. VcVb Ve B. Ve Vc Vb C. Vc Vb Ve D. Vc Ve Vb 在图示电路中 , 设 C1、 C2对交流信号的影响可以忽略不计 , 当输入 f=1KHz 的正弦电压信号后 , 用示波器观察 Vi 和 Vo, 则二者的相位关系为 _______。 1 A. 相差 90o B. 相差 45o C. 相同 D. 相差 180o 7. 为了减小温漂，通用型运放的输入级大多采用 。 A ．共射电路 B.差动放大电路 C．OCL 电路（互补对称电路） D.共集电路 在放大器中引入直流负反馈 ,说法正确的是 ______。 A.稳定输出电压B.稳定输出电流 C.性能不变 D.静态工作点稳定性变好 9．射随器适合作多级放大电路的输出级，是因为它的（ ） A. 电压放大倍数近似为 1 B. r i 很大 C. r O 很小 10. PN 结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压， ______。 A．其反向电流增大 B．其反向电流减小 C．其反向电流基本不变 由理想二级管组成的电路如图所示，其 A、 B 两端的电压为 _______。 A.-12V B.+6V C.-6V D.+12V 12. 在甲乙类互补对称功放电路中，为了改善交越失真，应 _______。 适当提高电源电压 适当增加负载电阻 RL 的阻值 C.适当减小功放管静态参数 U BE D.适当增大功放管静态参数 U BE 二、填空题。 （每空 2 分，共 12 分） 1. 简单的差分放大器双端输出时，对（ ）信号有较强的抑制能力 , 而对（ ）信号有较强的放大作用。 2. 某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰—峰值分别为 5 μA 和 5 mA，输出端接 2kΩ电阻负载， 测量到正弦电压信号峰—峰值 1V， 则 Av( )A I ( )Ap( ) ； 3. 零点漂移产生的因素很多，其中以 ( ) 变化所引起的漂移最为严 重。 2 VCC=24V，RC=3.3KΩ， RE=1.5 K Ω, 三、分析判断下列各电路能否正常放大。 （每题 3 分，共 6 分） 1． 2. VCC RC  R1 RB VCC Vs  RL R2 vo vi 四、已知电路如图， ui =10sin t v, Ε=5v, 二极管正向导通电压忽略不计， 试画出输出电 压 uo 的波形。（ 5 分） 五、电路如图为分压式偏置放大电路，已知 RB1=33 KΩ ,RB2=10 KΩ,R L=5.1 K Ω, β=66 。 试求：（ 1）静态值 I B、I C和 UCE； 2）计算电压放大倍数 Au ； 3）空载时的电压放大倍数 Au 0 ； 4）估算放大电路的输入电阻和输出电阻。 （20 分） 六、差分电路如图所示，已知 Vcc=VEE=15V,RB=2k,Rc＝ RE＝RL＝10k，T1，T2 管的β 100,r be=3.8k Ω 估算 T2管的静态工作点 I CQ2,V CEQ2 2. 估算共模抑制比 KCMR （ 10分） 3 RC T T2 RL 1 vi Re Rb -VEE 七、由电流源组成的电流放大器如图所示，试估算电流放大倍数 AI =I o /I i （ 6分） +VCC 3R R T3 T4 I I IO IO T1 T2 2R R -VEE 八、已知如图： VＣＣ =12V，RB =100k Ω， W =400K Ω， C＝４Ｋ Ω， β＝３７ .5 R R 当滑动变阻器的触点在中间位置时求静态值并画直流负载线 （设 UBE=0 ） （5 分） RW +VＣＣ RＣ RＢ C2 1 4