固体物理学：07_02 半导体中的杂质.pdf

固体物理学_黄昆_第七章 半导体电子论 §7.2 半导体中的杂质 理想的半导体材料是没有缺陷或没有杂质，半导体中的载流子只能是激发到导带中的电子和价带中 的空穴。 对纯的半导体材料掺入适当的杂质，也能提供载流子。因此实际的半导体中除了与能带对应的电子 共有化状态以外，还有一些电子可以为杂质或者缺陷原子所束缚，束缚电子具有确定的能级，杂质 能级位于带隙中接近导带的位置，在一般温度下即可被激发到导带中，从而对半导体的导电能力产 生大的影响。 设想一个第IV 族元素Ge （4 价元素）被一个第V 族元素As （5 价元素）所取代的情形，As 原子和 近邻的Ge 原子形成共价键后尚剩余一个电子。如图XCH007_000_01~02 所示。 REVISED TIME: 05-5-23 - 1 - CREATED BY XCH 固体物理学_黄昆_第七章 半导体电子论 —— 共价键是一种相当强的化学键，束缚在共价键上的电子能量很低，从能带的角度来说，就是处 于价带中的电子。 —— 多余一个电子受到As+离子静电吸引，其束缚作用是相当微弱的，在能带图中，它位于带隙之 中，且非常接近导带底，如图XCH007_000_10 所示。 —— 这个电子只要吸收很小的能量，就可以从带隙跃迁到导带中成为电子载流子。 如图XCH007_000_03~09 所示。一个第IV 族元素Si （4 价元素）被一个第III 族元素B （3 价元素） 所取代的情形，B 原子和近邻的Si 原子形成共价键后尚缺一个电子，附近Si 原子价键上的电子不需 要增加多少能量便可以容易地来填补B 原子周围价键的空缺，这样就在价带中形成一个空穴，B 原 子也因此成为负离子。在能带图中，空穴的能量位于带隙之中，且非常接近价带顶。如图 XCH007_000_11 所示。 1. 施主和受主 根据掺杂元素对导电的不同影响，杂质态可分为两种类型。 1）施主 杂质在带隙中提供带有电子的能级，能级略低于导带底的能量，和价带中的电子相比较，很容易激 发到导带中 —— 电子载流子。如图XCH007_003_01 所示。 REVISED TIME: 05-5-23 - 2 - CREATED BY XCH 固体物理学_黄昆_第七章 半导体电子论 主要含有施主杂质的半导体，主要依靠施主热激发到导带的电子导电 —— N 型半导体。 2 ）受主 杂质提供带隙中空的能级，电子由价带激发到受主能级要比激发到导带容易的多。主要含有受主杂 质的半导体，因价带中的一些电子被激发到施主能级，而在价带中产生许多空穴，主要依靠这些空 穴导电 —— P 型半导体。如图XCH007_003_02 所示。 2. 类氢杂质能级 半导体材料中掺杂形成的施主能级或受主能级的情况较为复杂，简单的一类杂质能级——类氢杂质 能级。 N 型半导体：在IV 族（Si，Ge ）族化合物中掺入V 族元素（P，As，Sb）；在III －V 族化合物中掺 入VI 族元素取代V 族元素。特点为半导体材料中有多余的电子。 P 型半导体：在IV 族（Si，Ge ）族化合物中掺入III 族元素 （Al，Ga，In ）；在III －V 族化合物中掺 入II 族元素取代III 族元素。特点为半导体材料中形成空穴。 掺入多一个电子的原子，电子的运动类似于氢原子中电子的情况。 —— 氢原子中的电子运动 2 2 q2 电子的波动方程：(− ∇ − )ψ(r ) Eψ(r ) 2m 4πε r 0 mq4 1 能量本征值：En − ⋅ , n 1, 2, 3 2 2 2 (4πε0 ) (2 ) n 4