晶体学：第五章 晶体生长方法与技术.pptx

第五章 晶体生长方法与技术;晶体:(从成健角度分为) 离子晶体 （离子键：NaCl） 阳离子和阴离子之间由于静电作用所形成的化学键. 原子晶体 (共价键: 金刚石) 原子间通过共享电子所形成的化学键 ;分子晶体 (分子间作用力:范德华力和氢键, 冰） 与电负性大的原子X（氟、氧、氮等）共价结合的氢，若与电负性大的原子Y（与X相同的也可以）接近，在X与Y之间以氢为媒介，生成X-H…Y形式的键，称为氢键。 金属晶体 (金属键: 铜） 由自由电子及排列成晶格状的金属离子之间的静电吸引力组合而成.;单晶硅锭; 晶体原则上可以由固态、液态（熔体或溶液）或气态生长而得。实际上人工晶体多半由熔体达到一定的过冷或溶液达到一定的过饱和而得。 晶体生长是用一定的方法和技术，使晶体由液态或气态结晶成长。 由液态结晶又可以分成熔体生长或溶液生长两大类。;5.1-1 晶体生长：相变的过程;7;晶核的形成;临界半径与成核功;临界半径（rc）;晶核的成核速度;12;液态到固态;14;5.1-2 晶体生长模型; 2. 螺旋生长理论 晶面上的螺旋纹;螺旋位错;18;1. 溶质、溶剂和溶液 溶质溶入溶剂形成单一均质溶体，为溶液。通常溶液包括水溶液，有机等溶剂的溶液和熔盐（高温溶液）。 ;2. 溶解度曲线 饱和溶液：与溶质固相处于平衡的溶液称为该平衡状态下该物质的饱和溶液。 L ? S (给定温度，压力) 溶解度曲线：一定状态下，饱和溶液浓度为该物质的溶解度。 不同温度下溶解度的连线为该物质的溶解度曲线。;3. 影响溶解度的因素 浓度、温度;4. 相图 饱和曲线（溶解度曲线）： 不饱和区（稳定区）：;;;25;26;27;;29;30;;5.2.1. 溶液中晶体生长的平衡;;;;;;晒海盐;;;5.3 熔体中生长晶体;5.3.1 提拉法;提拉法制备单晶;放肩过程;转肩过程;等径过程;收尾过程;取棒冷却;提拉法特点: （1）通过精密控制温度梯度、提拉速度、旋转速度等，可以获得优质大单晶； （2）可以通过工艺措施降低晶体缺陷，提高晶体完整性； （3）通过籽晶制备不同晶体取向的单晶； （4）容易控制。 （5）由于使用坩埚，因此，容易污染； （6??对于蒸气压高的组分，由于挥发，不容易控制成分； （7）不适用于对于固态下有相变的晶体。;5.3.2下降法晶体生长;将一个多晶材料棒，通过一个狭窄的高温区，使材料形成一个狭窄的熔区，移动材料棒或加热体，使熔区移动而结晶，最后材料棒就形成了单晶棒。这方法可以使单晶材料在结晶过程中纯度提得很高，并且也能使掺质掺得很均匀。区熔技术有水平法和依靠表面张力的浮区熔炼两种。 ;5.3.4 冷坩埚法;;5.3.5 焰熔法;;3. 助熔剂选取 （1）选取助熔剂：至少一个离子与溶质为共同助熔剂，但是（a）容易以置换方式进入晶格的离子；（b）与溶质可以形成稳定化合物的助熔剂。 （2）根据经验;5. 熔盐法制备晶体的优点 适应性强，对任何材料都适应； 生长温度低于材料的熔点。;5.4 气相生长晶体;同质外延： 使用的衬底材料与生长的单晶材料相同。 异质外延： 使用的衬底材料与生长的单晶材料不同。;5.4.1 真空蒸发镀膜法;在蒸发源和衬底之间放有挡板，防止蒸发前加热过程中发出废气等污染。;5.4.2 升华法;5.4.3 射频溅射法: 采用射频溅射的手段使组成晶体的组分原料气化，然后再结晶的技术来生长晶体的方法。 射频溅射适用于各种金属和非金属材料的一种溅射沉积方法，其频率区间为5~30MHz，国际上通常采用13.56MHz的频率。主要用来进行薄膜制备，也可以制备小尺寸的晶体。;5.4.4 分子束外延生长;物质在加热的衬底表面发生化学反应而沉积成为固态薄膜的方法称为化学反应气相沉积。 ; 以Ⅲ族、Ⅱ族元素有机化合物和V、Ⅵ族元素氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的薄层单晶材料。衬底温度为500-1200℃,用射频感应加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方),H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。;缺陷分类 缺陷，是对于晶体的周期性对称的破坏，使得实际的晶体偏离了理想晶体的晶体结构。 点缺陷：在晶体学中，点缺陷是指在三维尺度上都很小的，不超过几个原子直径的缺陷。其在三维尺寸均很小，只在某些位置发生，只影响邻近几个原子，有被称为零维缺陷。 线缺陷：线缺陷指二维尺度很小而第三维尺度很大的缺陷，也就是位错。