第二章光电检测.pptVIP

2021/2/6 * * AB两极间的电阻为R,在绝对温度T的平衡态下,内部的电子处于不断的热运动中,无序的电子运动。 如果从一个想象的截面S去看,任何一瞬间有些电子从左向右穿越S面,有些电子从右向左穿越S面。 从时间平均来看,这两种方向的电子数一定相等,因为AB之间没有外电压,不会有电流通过AB。 但是考虑流过S面的电子数的均方偏差,则不为零。这样在AB两端就应出现一电压涨落。 1、热噪声 2021/2/6 * * 用热噪声电流表示为: 热噪声与温度成正比,并与频率无关,说明噪声是由各种频率分量组成,就象白光是由各种波长的光组成一样,所以热噪声又称之为白噪声。 2.3 光电检测器件的特性参数 但是考虑流过S面的电子数的均方偏差,则不为零。这样在AB两端就应出现一电压涨落。 瞬时电流扰动在导体两端产生噪声电压,称为热噪声电压。其均方值为: 2021/2/6 * * 所有的探测器都有热噪声,如何减小热噪声的影响是光电探测系统的一个重要问题。 降低探测器的工作温度T在低温工作的探测器其热噪声将大大减小,特别是一些响应于远红外波段的探测器,为了降低热噪声,将探测器置于液氦(4K)、液氮(77K)的深冷状态。 在信号不失真的条件下,压缩工作频带。 2021/2/6 * * 2、散粒噪声 光子随机到达光电探测器所引起的光电流的随机起伏称为散粒噪声。散粒噪声电流的表达式为 散粒噪声也是白噪声,与频率无关, 2.3 光电检测器件的特性参数 与热噪声的区别: 热噪声起源于热平衡条件下电子的粒子性,即电荷的随机运动,依赖于kT,而散粒噪声直接起源于光的粒子性。热噪声属电路中电阻的一项特性,设计者可对其进行某些控制,而散粒噪声是光电探测器的固有特性,因此散粒噪声不可能被消除。对大多数光电探测器来说,散粒噪声具有支配地位。 2021/2/6 * * 3、产生-复合噪声 光电器件因光激或热激载流子和寿命的随机性所引起的电流起伏叫产生－复合噪声。这种噪声与载流子产生的随机性有关,还与载流子的复合时间即载流子寿命的随机性有关。产生－复合噪声电流的均方值为 I为流过光电接收器件的平均电流； 为载流子平均寿命； 为载流子在光电探测器件两电极间的平均漂移时间；f为频率；△f为带宽。上式表明，产生-复合噪声与频率有关，不是白噪声。如果频率低，满足条件时，上式可简化为： 此时,产生-复合噪声是白噪声。 2.3 光电检测器件的特性参数 2021/2/6 * * 4、 1/f 噪声 因光敏层的微粒不均匀性或不必要的微量杂质存在,当电流流过时在微粒间发生微火花放电而引起的微电脉冲就是1/f噪声的起源。其经验公式为 式中,K为比例系数,与元件制造工艺、电极接触情况、表面状态及尺寸有关;I为流过光电探测器的电流直流分量;α与流过元件的电流有关,通常α ＝2;β与元件材料的性质有关,其值在之间,大部分材料的值为1。 由于这种噪声与频率f有近似倒数的关系,故称为1/f噪声,它在低频区较大,故有时称低频噪声。 2.3 光电检测器件的特性参数 2021/2/6 * * 信噪比 光电探测器件的输出既有信号辐射产生的光电流IS,又有背景辐射噪声和器件固有噪声等产生的噪声电流IN 。它们在负载电阻RL上产生的功率分别为Ps,PR 。将其功率比定义为器件的信噪比SNR: 利用上式来评价两种光电器件的性能时,必须在信号辐射功率相同的环境下才能比较。但是,对于单个光电器件,其噪声比的大小与入射信号辐射功率及接收面积有关。如果入射辐射强,接收面积大,信噪比就大,但性能不一定就好。因此,用信噪比评价器件性能有一定的局限性。 2.3 光电检测器件的特性参数 2021/2/6 * * 噪声等效功率 2.3 光电检测器件的特性参数 定义:信号功率与噪声功率之比为1,即S／N＝1时,入射到探测器上的辐射通量(单位为瓦)。 一个良好的探测器件的NEP约为10–11W。NEP越小,噪声越小,器件的性能越好。 2021/2/6 * * 探测率（探测度） 用表示NEP器件性能时,数值越小,性能越好,即器件越灵敏,这与人们的“越大越好”心理习惯不一致,因而又将NEP的倒数作为一个参数引入,这就是探测率或探测度,用符号D表示,即 2.3 光电检测器件的特性参数 显然,D愈大,光电探测器的性能就愈好。它描述的特性是:光电探测器在它的噪声电平之上产生一个可观测的电信号的本领,即光电探测器能响应的入射光功率越小,则其探测率越高。 2021/2/6 * * 但是仅根据探测率D还不能比较不同的光探测器的优劣,这是因为如果两只由相同材料制成的光电探测器,尽管内部结构完全相同,但光敏面积Ad不同,测量带宽不同,则D值也不相同。 为了能方便地对不同来源的光电探测器进行比较,需要把探测率D标准化(归一化)到测量带宽为