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光耦基础知识及 Avago 产品 技术中心 2010-12-14 知识框架 光耦基础知识 ? 光耦内部结构及工作原理 ? 光耦特性 ? 几种数字隔离器优势对比 ? 光耦分类 ? 相关参数指标说明 光耦的应用 ? 应用领域 ? 几种常用光耦的特性 Avago 光耦产品 ? Avago 光耦的特点 ? Avago 光耦的详细产品分类 附：术语说明 光耦的基础知识 光耦内部结构及工作原理 输入的电信号驱动发光二极管（ LED ），使之发出一定波长的光，被 光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。 图 1 光耦原理图 电 → 光 → 电 光耦特性 -SWOT 分析 Threats 数字隔离器的取代： 速度快、 功耗低、 可靠性高 S Weaknesses ： LED 老化； 速度受限； Opportunities 对隔离效果要求高； 开关电源； …… Strengths ： ? 共模抑制能力强； ? 抗干扰能力强； ? 无粗点、寿命长； ? 效率高； W O T 各种数字隔离器的性能 优点 缺点 示意图 厂商阵营 应用场合 光耦 合技 术 抗干扰强 速度受限、功耗、 LED 老化 Avago 、 Vishay 、 Toshiba.. Fairchild 电机、电源控制 系统 电感 耦合 技术 共模差异和差分传输特 性 （变压器允许噪声 和信号频率重叠，但是 会呈现出噪声高共模阻 抗和信号低差分阻 抗。 ） 信号能量传输可以为近 100% 的效率 对外部磁场（噪声）的 磁化 数据运行长度 受限（变 压器允许的带宽内） ADI 、 Silicon Lads 电力自动化、工业 测量、楼宇控制、 煤矿安全、安防消 防、智能交通、流 量计、运动控制、 电机控制、汽车车 体通讯、仪器仪表、 航天航空等 光耦主要参数 绝缘耐压 爬电距离： 两个导电部件之间 , 或 一个导电部件与设备及 易接触表面之间沿绝缘 材料表面测量的最短空 间距离。沿绝缘表面放 电的距离即泄漏距离也 称爬电距离，简称爬距。 一般有两种测试条件， 一种为 1min ，一种为 1sec 。 共模抑制比 CMR 在光耦内部， 由于发光管和 受光器之间的 耦合电容很小 （ 2pF 以内） 所以共模输入 电压通过极间 耦合电容对输 出电流的影响 很小，因而共 模抑制比很高。 增益 - 电流传输比 电流转换比有一定范围，和 LED 电流，环境温度都有关系，并且会随使用时间 衰减。 电流传输比 CTR ： 输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正 向电流之比，通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时，它等 于直流输出电流 IC 与直流输入电流 IF 的百分比。 采用一只光敏三极管， CTR 的范围为 20% ～ 300% （如 4N35 ）， PC817 则为 80% ～ 160% ， 达林顿型光耦合器（如 4N30 ）可达 100% ～ 5000% 。 Speed 光耦速度： 单位为 Mbit/s ，通常标识为 MBd ， 1MBd=1Mbit/s ； 输出 - 传输延时、脉宽失真比和延时偏差 速度 单位为 Mbit/s ，通常标识为 MBd ， 1MBd=1Mbit/s ； 低速型号： 10Kbps 及以下 中速型号： 100K － 1M 高速型号： 1M 以上 在通信应用中， DeviceNet 规定了相对较低的数据速率，包括 125kBd 、 250kBd 和 500kBd ，传播 延迟要求小于 40ns ； CAN 总线规定了 125kBd 低速和 1MBd 高速数据速率，但对传播延时没有严格的要 求； Profibus 发送数据则要求在 12MBd 范围内，并规定了隔离器、收发器和连接本身 的 PWD 总延时。 LED 驱动电流及正向压降 采用高效率的 LED 和高增益的接收放大电路可以降低驱动电流的需求。 较小的 I f 可以降低系统功耗，并降低 LED 的衰减，提高系统长期可靠性。 发光二极管正向压降 V f ：大于普通二极管的正向压降，大约为 2V ； 光耦的分类 -1 非线性光耦：适合开关信号的传输，不适合模拟量传输。 4N 系列 线性光耦：电流传输特性曲线接近直线，且小信号性能较好。 PC817A —