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第二章 PN 结 填空题 16 -3 N 1、若某突变 PN结的 P 型区的掺杂浓度为 A=1.5 ×10 cm ，则室温下该区的平衡 多子浓度 pp0 与平衡少子浓度 np0 分别为（ ）和（ ）。 2、在 PN结的空间电荷区中， P 区一侧带（ ）电荷， N 区一侧带（ ）电荷。 内建电场的方向是从（ ）区指向（ ）区。 3、当采用耗尽近似时， N型耗尽区中的泊松方程为（ ）。由此方程 可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（ ）。 4 、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（ ），内建电场的最大值就越 V I C （ ），内建电势 bi 就越（ ），反向饱和电流 0 就越（ ），势垒电容 T 就 越（ ），雪崩击穿电压就越（ ）。 V 5、硅突变结内建电势 bi 可表为 （ ），在室温下的典型值为 （ ） 伏特。 6、当对 PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会 （ ）。 7、当对 PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会 （ ）。 8、在 P 型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度 np 与外加电压 V 之间的关系可表 17 -3 示为 （ ）。若 P型区的掺杂浓度 NA=1.5 ×10 cm ，外加电压 V= 0.52V ， 则 P 型区与耗尽区边界上的少子浓度 np 为（ ）。 9、当对 PN结外加正向电压时， 中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡 少子浓度（ ）；当对 PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓 度比该处的平衡少子浓度（ ）。 10、PN结的正向电流由 （ ）电流、（ ）电流和 （ ） 电流三部分所组成。 11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（ ）；PN结的反 向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（ ）。 12、当对 PN结外加正向电压时，由 N 区注入 P 区的非平衡电子一边向前扩散， 一边 （ ）。每经过一个扩散长度的距离， 非平衡电子浓度降到原来的 （ ）。 13、PN结扩散电流的表达式为（ ）。这个表达式在正向电 压下可简化为（ ），在反向电压下可简化为（ ）。 14、在 PN结的正向电流中，当电压较低时，以（ ）电流为主；当电压较高 时，以（ ）电流为主。 15、