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电力电子中的碳化硅 SiC SiC in Power Electronics Volker Demuth, Head of Product Management Component, SEMIKRON Germany 据预测，采用  SiC 的功率模块将进入诸如可再生能源、  UPS电源、驱动器和汽车等应用。风电和牵引应用可能 会随之而来。  到  2021  年， SiC 功率器件市场总额预计将上升到  10 亿美元  [1]  。在某些市场，如太阳能，  SiC 器件 已投入运行，尽管事实上这些模块的价格仍然比常规硅器件高。是什么使这种材料具有足够的吸引力，即使价格更 高也心甘情愿地被接受？首先，作为宽禁带材料，  SiC  提供了功率半导体器件的新设计方法。传统功率硅技术中，  I GBT开关被用于高于  600V 的电压，并且硅  PIN- 续流二极管是最先进的。硅功率器件的设计与软开关特性造成相当 大的功率损耗。有了 SiC 的宽禁带，可设计阻断电压高达 15kV 的高压 MOSFET，同时动态损耗非常小。有了 SiC ，传统的软关断硅二极管可由肖特基二极管取代，并带来非常低的开关损耗。作为一个额外的优势， SiC 具有比硅高 3 倍的热传导率。连同低功率损耗， SiC 是提高功率模块中功率密度的一种理想材料。目前可用的设计是 SiC 混合 模块（  IGBT 和  SiC 肖特基二极管）和全  SiC  模块。 SiC 混合模块 SiC 混合模块中， 传统 IGBT 与 SiC 肖特基二极管一起开关。 虽然 SiC 器件的主要优势是与低动态损耗 首先讨论 SiC 肖特基二极管的静态损耗。通常情况下， SiC 器件的静态损耗似乎比传统的硅器件更高。图 了传统软开关 600V 赛米控 CAL HD续流二极管的正向压降 Vf ，为低开关损耗而优化的快速硅二极管和 SiC  相关，但 1.a 显示 肖特基二 极管，所有的额定电流为 10A。 图 1.a 中：25℃和 150℃下不同续流二极管的正向电流与正向压降。对比了 10A的 SiC 肖特基二极管，传统的软开关硅二极管（ CAL H D）和快速硅二极管（硅快速）。 1.b ：同一二极管的正向压降和电流密度（正向电流除以芯片面积）。 在 10A 的额定电流下，硅续流二极管展现出最低的正向压降，  SiC  肖特基二极管的  Vf 更高，而快速硅二极管展 现出最高的正向压降。正向电压与温度之间的关联差别很大：快速硅二极管具有负的温度系数，  150°C  下的  Vf 比  2 5°C下的  Vf 低。对于  12A 以上的电流，  CAL的温度系数为正，  SiC  肖特基二极管即使电流为  4A 时，温度系数也为 正。由于二极管通常并联以实现大功率器件，需要具有正温度系数以避免并联二极管中的电流不平衡和运行温度不 均匀。这里， SiC 肖特基二极管显示出最佳的性能。但与常规硅二极管相比， SiC 肖特基二极管的静态损耗较高。 由于二极管是基于 10A 额定电流进行比较的，考虑不同供应商的器件之间有时不同的额定电流定义是很重要的。为 了更加深入地了解器件性能，画出电流密度（正向电流除以芯片面积）与正向压降之间的关系是有用的，它考虑到 了芯片的面积。图 1.b 显示了等效电流密度，传统硅二极管和 SiC 肖特基二极管具有非常相似的正向压降，而快速 硅二极管的 Vf 仍然是最高的。换句话说，当使用相同的芯片面积时，硅二极管和 SiC 二极管具有可比的静态损耗。 通常 SiC 芯片尺寸更小，由于额度电流的确考虑到了静态和动态损耗，额定电流，所以带来较小的总损耗，因此缩 小了芯片的尺寸。 看一下  SiC  肖特基二极管的动态损耗，可以清楚地看到  SiC  器件的主要优点，见表  1。 表 1：传统硅续流二极管（ CAL HD）、SiC 肖特基二极管和快速硅二极管的动态参数。所有二极管额定电压 1200V，额度电流 10A。 于常规硅二极管相比， SiC 肖特基二极管的反向恢复电流 I RRM要低 50%以上，反向恢复电荷 QRR降低了 14 倍，关断损耗 Eoff 降低了 16 倍。 Si- 快速二极管显示了比常规硅二极管更好的特性，但它不会达到 SiC 肖特基二极管那样的优异动态特性。由于 SiC 肖特基二极管动态损耗低，可以显著减少逆变器损耗，节约用于冷却的开支并且增加逆变器的功率密度。此外，低动态损耗使 SiC 肖特基二极管非常适合高开关频率。 另一方面，快速开关的续流二极管可能有个缺点，反向电流非常陡峭的下降可能导致电流截止和振荡。在使用 硅二极管的情况下， 电流截止是由软关断特性控制的。