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影响MOS管开关速度的因素.pdfVIP

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影响MOS 管开关速度的因素 1.概述 MOSFET 的原意是:MOS (Metal Oxide Semiconductor 金属氧化物半导体),FET (Field Effect Transistor 场效应晶体管),即以金属层(M )的栅极隔着氧化层(O ) 利用电场的效应来控制半导体(S )的场效应晶体管。在这里主要谈一下功率场效应 晶体管即功率MOSFET。 功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS 型 (Metal Oxide Semiconductor FET ),简称功率MOSFET (Power MOSFET )。结型功率 场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(Static Induction Transistor——SIT )。 其特点是用栅极电压来控制漏极电流,驱动电路简单,需要的驱动功率小,开关速度 快,工作频率高,热稳定性优于GTR,但其电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不 超过10kW 的电力电子装置。 功率MOSFET 的种类:按导电沟道可分为P 沟道和N 沟道。按栅极电压幅值可分为; 耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N (P )沟道器 件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道。但实际应用的只有增强型的 N 沟道 MOS 管和增强型的P 沟道MOS 管,所以通常提到NMOS,或者PMOS 指的就是这两种,而 功率MOSFET 主要是N 沟道增强型。 功率MOSFET的工作原理 截止:漏源极间加正电源,栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN 结J1反偏,漏源极之间无电流流过。 导电:在栅源极间加正电压UGS,栅极是绝缘的,所以不会有栅极电流流过。但栅 极的正电压会将其下面P 区中的空穴推开,而将P 区中的少子—电子吸引到栅极下面 的P 区表面 当UGS大于UT (开启电压或阈值电压)时,栅极下P 区表面的电子浓度将超过空 穴浓度,使P型半导体反型成N型而成为反型层,该反型层形成N沟道而使PN结J1 消失,漏极和源极导电。MOS管利用低电压控制导通。MOS管有三个极,栅极,漏极, 源极,可以用一个极控制其他2个极的导通。主要是控制。类似于三极管。 功率MOSFET的基本特性 静态特性;其转移特性和输出特性如图2所示。 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性,ID较大时,ID与 UGS的关系近似线性,曲线的斜率定义为跨导Gfs MOSFET的漏极伏安特性(输出特性):截止区(对应于GTR的截止区);饱和区 (对应于GTR的放大区);非饱和区(对应于GTR的饱和区)。电力MOSFET工作在开 关状态,即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管, 漏源极间加反向电压时器件导通。电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数,对器件并 联时的均流有利。 二、动态特性 MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程,但其动态特性主要取决 于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间,而管子本身导通和截止时电荷积累和 消散的时间是很小的。图3.9(a)和(b)分别给出了一个NMOS管组成的电路及其动态特 性示意图。 图3.9 NMOS管动态特性示意图 当输入电压U 由高变低,MOS管由导通状态转换为截止状态时,电源U 通过R 向杂 i DD D 散电容C 充电,充电时间常数τ=RC。所以,输出电压u要通过一定延时才由低电平 L 1 D L o 变为高电平;当输入电压u 由低变高,MOS管由截止状态转换为导通状态时,杂散电容 i C 上的电荷通过r 进行放电,其放电时间常数τ ≈r C。可见,输出电压U 也要经过 L DS 2 DS L o 一定延时才能转变成低电平。但因为r 比R 小得多,所以,由截止到导通的转换时间 DS D 比由导通到截止的转换时间要短。 由于MOS 管导通时的漏源电阻r 比晶

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