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最简单易用的7管封装IGBT模块 导语：?IGBT的优势在于输入阻抗很高，开关速率快，导通态电压低，关断时阻断电压高，集电极和发射机承受电流大的特点，目前已经成为电力电子行业的功率半导体发展的主流器件 IGBT的优势在于输入阻抗很高，开关速率快，导通态电压低，关断时阻断电压高，集电极和发射机承受电流大的特点，目前已经成为电力电子行业的功率半导体发展的主流器件。IGBT已经由第三代发展到第五代了，由穿透型发展到非穿透型。IGBT模块也在此基础上同步发展，单管模块，半桥模块，6管模块，到现在的7管模块。IGBT驱动设计上比较复杂，需要考虑较多的因素，诸如合理的选择驱动电压Uge和门极驱动电阻Rg，过流过压保护等都是很重要的。IGBT模块广泛用于UPS，感应加热，逆变焊机电源，变频器等领域。 图1：半桥模块 图2：全桥模块(H桥) 图3：三相全桥6管封装 对于世强代理的Vincotech7管封装的IGBT模块主要是用于电机驱动的变速调节和新能源逆变上，他由6管再加一个带制动的IGBT单管封装在一起构成一个7管的封装。 图4：7管封装 7管模块的应用要点： 1.IGBT模块栅极驱动电压 Vge要大于Vge(th),意思是栅极的驱动电压要大于IGBT的门极阈值电压IGBT才能开动，对于这个7管模块的Vge典型值是5.8V，为了是IGBT充分完全饱和导通，并使开关损耗降到最低，因此需要再Vge选一个合适的值，当Vge增加通态电阻减小，通态压降也在降低，损耗也在降低，但是IGBT承受的短路电流能力却在减小，当Vge太大，会引起栅极电压振荡，容易损坏栅极，当Vge减小，通态电阻增大，通态压降增大，损耗也在增大，为了平衡这些制约关系，一般选在1.5~3倍的Vge(th)，折中选在12~15V的范围，在IGBT关断时，一般是采用负向偏压，提高抗干扰能力和抗击di/dt冲击能力，一般负压在-10~-6V。 图5：IGBT门极开关波形 2.IGBT的栅极电阻Rg的确定 当然Rg增大时，可以抑制门极脉冲沿的陡峭度有效的防止振荡，同时可以减少开关di/dt，限制了IGBT集电极的尖峰电压，但是会增加开关时间，增加开关损耗。Rg小了，会导致GE之间的振荡，损坏IGBT，一般在Rg上并联一个10K左右的电阻到E极，另外在GE之间加上TVS吸收尖峰。 3.因内部带有制动的IGBT单管制动，当对电机的减速时，关闭驱动，同时只要将此管打开，将因电机转动感应产生的能量吸收泻放，因此应用场合主要在电机调速控制，下图是整个电机控制的框图。 图6：整个电机控制的框图 图7：驱动部分可以选用光隔离驱动 7管封装采用IGBT4技术，高集成度较少的PCB走线，内建一个NTC的，实时反应模块内部的温度，在变频器电机调速上应用是非常合适的。现VincotechIGBT已可通过世强订购，欢迎拨打世强服务热线电话40088-73266获得专业快捷的服务！ 相关阅读 基于第四代IGBT技术的功率模块，有效降低寄生电感 可实现能量最优转换的IGBT功率模块 不带铜底板IGBT功率模块的散热设计 效率高达98.75%的MNPC逆变器模块 相关产品详情 六管封装IGBT模块 关于世强 世强先进成立于1993年，是包括安华高、瑞萨电子、SiliconLabs、Rogers、Melexis、英飞凌、acam、Alliance、Micrel、Littelfuse、NEMICON、EMCRFLabs、EPSON、Cpyress、Vincotech、SMI、理光微电子、是德等在内的全球知名半导体企业及测试测量仪器公司在大中国区的重要分销商，同时也是众多电子制造和研发企业的重要供应商，产品业务除了覆盖传统的工业、通信、消费和汽车电子领域，更为新兴的物联网、车联网、可穿戴设备、智能移动终端等市场带来更多前沿技术和创新产品。 作为技术驱动型分销企业，世强还拥有成熟的技术支持团队和系统的服务流程，根据需求向客户提供新产品推介、快速样品、应用咨询、方案及软件设计、开发环境、售后及物流等方面的专业服务。2014年，世强年销售额2.32亿美金，在全国设有17个分公司和办事处，拥有员工近500人。 详细信息请访问世强网站：Http:// 欢迎拨打世强服务热线电话40088-73266获得专业快捷的服务！