pnp双极型晶体管的设计.docxVIP

目 录 1. 程 目的与任 ?????????????????????? 2 2. 的内容?????????????????????????? 2 3. 的要求与数据??????????????????????? 2 4. 物理参数 ????????????????????????? 3 4.1 各区 度及相关参数的 算??????????????? 3 4.2 集 区厚度 Wc的 ???????????????????? 6 4.3 基区 度 WB???????????????????????? 6 4.4 散 深????????????????????????? 10 4.5 芯片厚度和 量?????????????????????? 10 4.6 晶体管的横向 、 构参数的 ????????????? 10 5. 工 参数 ????????????????????????? 11 5.1 工 部分 参数????????????????????? 11 5.2 基区相关参数的 算 程?????????????????? 11 5.3 射区相关参数的 算 程????????????????? 13 5.4 氧化 的 算?????????????????????? 14 6. 参数 ????????????????????????? 16 7. 工 流程 ?????????????????????????? 17 8. 生 工 流程????????????????????????? 19 9. 版 ????????????????????????????? 28 10. 心得体会?????????????????????????? 29 11. 参考文献?????????????????????????? 30 1 PNP双极型晶体管的设计 1、课程设计目的与任务 《微电子器件与工艺课程设计》是继《微电子器件物理》、 《微电子器件工 艺》和《半导体物理》 理论课之后开出的有关微电子器件和工艺知识的综合应用的课程，使我们系统的掌握半导体器件， 集成电路，半导体材料及工艺的有关知识的必不可少的重要环节。 目的是使我们在熟悉晶体管基本理论和制造工艺的基础上， 掌握晶体管的设计方法。要求我们根据给定的晶体管电学参数的设计指标， 完成晶体管的纵向结构参数设计→晶体管的图形结构设计→材料参数的选取和设计→制定实施工艺 方案→晶体管各参数的检测方法等设计过程的训练， 为从事微电子器件设计、 集成电路设计打下必要的基础。 2、设计的内容 设计 一个均匀掺杂的 pnp 型双 极晶 体管 ，使 T=300K 时， β =120，VCEO=15V,VCBO=80V.晶体管工作于小注入条件下，最大集电极电流为 I C=5mA。设计时应尽量减小基区宽度调制效应的影响。 3、设计的要求与数据 1）了解晶体管设计的一般步骤和设计原则。 2）根据设计指标设计材料参数，包括发射区、基区和集电区掺杂浓度NE, NB, NC, 根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数， 迁移率，扩散长度和寿命等。 3）根据主要参数的设计指标确定器件的纵向结构参数，包括集电区厚度Wc，基本宽度 Wb，发射区宽度 We和扩散结深 Xjc , 发射结结深 Xje 等。 4）根据扩散结深 Xjc , 发射结结深 Xje 等确定基区和发射区预扩散和再扩散的扩 散温度和扩散时间；由扩散时间确定氧化层的氧化温度、氧化厚度和氧化 时间。 5）根据设计指标确定器件的图形结构，设计器件的图形尺寸，绘制出基区、发射区和金属接触孔的光刻版图。 2 （ 6）根据现有工艺条件，制定详细的工艺实施方案。 4、物理参数设计 4.1 各区掺杂浓度及相关参数的计算 击穿电压主要由集电区电阻率决定。 因此，集电区电阻率的最小值由击穿电压决定，在满足击穿电压要求的前提下， 尽量降低电阻率，并适当调整其他参量，以满足其他电学参数的要求。 对于击穿电压较高的器件，在接近雪崩击穿时，集电结空间电荷区已扩展至 均匀掺杂的外延层。 因此，当集电结上的偏置电压接近击穿电压 V 时，集电结可 3 用突变结近似，对于 Si 器件击穿电压为 VB 13 ， 由此可得集电区 6 10 （N BC）4 杂质浓度为： 6 1013 4 6 1013 4 NC （ 3 ) 3 BVCBO ） （ n 1 BVCEO 由设计的要求可知 C-B 结的击穿电压为： BV CBO80V 根据公式 , 可算出集电区杂质浓度： 6 1013 4 6 1013 4 15 3 3 3 NC （ ) 6.814 10 cm BVCBO ） （ 80 一般的晶体管各区的浓度要满足 NENBNC，根据以往的经验可取