双极型静电感应晶体管动态性能的物理研究.docVIP

双极型静电感应晶体管动态性能的物理研究 导语：?双极型静电感应晶体管动态性能的研究体现在对动态参数的分析上，本文对开关特性， 容量， 容量及开关损耗等动态参数进行了详细分析，从物理的角度阐述了这几个动态参数的意义，对实际应用有指导作用 摘 要: 双极型静电感应晶体管动态性能的研究体现在对动态参数的分析上，本文对开关特性， 容量， 容量及开关损耗等动态参数进行了详细分析，从物理的角度阐述了这几个动态参数的意义，对实际应用有指导作用。关键词: 物理研究; 动态性能; 动态参数; 双极型静电感应晶体管1 引言　　电力半导体器件是电力电子技术的基础，是电力半导体装置的心脏。电力半导体器件的特性直接影响电力电子系统的体积、重量、价格和性能。八十年代以来，随着微电子技术的迅速发展，微电子与电力电子在各自发展的基础上相结合产生了一代高频化、全控型的功率集成器件。在众多的新型半导体器件当中，静电感应（SI）器件是新生发展起来的独具特色的电力半导体器件，并且己发展成为一个相当大的SI家族.该家族的主要品种有功率SIT、超高频SIT、微波SIT、双极模式静电感应晶体管（BSIT）、静电感应晶闸管（SITH）以及静电感应集成电路（SIT-IC）。　　其中双极模式静电感应晶体管BSIT是将SIT和双极性器件BJT的作用综合在一起，取各自优点而形成的一种新型器件。它具有工作频率高，频带宽，输出功率大、增益高，输入阻抗高，容易驱动，输出阻抗低，热稳定性好等优点。由于静电感应器件电流容量大，开关速度快，适合于作为大功率开关器件，所以在研究静电感应器件时的性能时不仅包含漏电流、放大倍数、击穿电压等静态参数，还应包括诸如开通时间、关断时间、功率损耗等动态参数。　　本文在简要分析了BSIT的工作原理的基础上，对双极模式静电感应晶体管BSIT的动态性能进行物理分析，从物理的角度阐述了BSIT的开关特性，di/dt容量，di/dt容量及开关损耗这几个动态参数的意义。2 BSIT的工作原理　　BSIT外延掺杂浓度很低，栅间距又很小，零栅压下沟道就己夹断，故通常处于常关状态，属常关型器件。BSIT的结构示意图如图1所示。[align=center]图1 BSIT的结构示意图[/align]　　通过选择合适的结构参数（栅间距、栅体扩散深度和材料的掺杂浓度等），在栅结自建电场的作用下，耗尽层便会在沟道内充分交亚并形成足够高的电子势垒。当不加栅偏压时，漏源电压虽对势垒的降低有一定的作用，但因沟道已处于充分夹断状态，单靠漏源电压不会有足够的电子越过势垒形成明显的漏源电流。　　栅压为负时（V[sub]GS[/sub]0），栅沟p-n结反偏，沟道势垒更加升高，器件处于完全夹断状态。阻断电压VDS给出了器件的耐压容量。V[sub]G[/sub]一定，当V[sub]D[/sub]升高到一定值时，有微小的电流流经器件，该电流为多子电流，属于势垒控制电流，此时器件工作在单极模式，I-V特性呈现出类三极管特性，且沿V[sub]D[/sub]轴有一定的位移，这一位移电压给出了器件的“特征电压”。　　当栅压为正且足够大时，栅沟p-n结为正偏，有少子空穴由栅极注入沟道。少子参与使器件的作用机制发生了根本性的变化。随着栅压的增加，注入空穴不断增大，同时有对应的电子由源区注入，在沟道区和外延层内 （一定范围内）形成了高浓度的电子—空穴等离子体，使得所在区域发展成为准中性区并产生显著的电导调制效应。该区域内电场很小，对应的电压降也很小，可通过大的漏电流，器件处于开态，也称为饱和状态。此时电流的大小受注入少子 （空穴）的调制。属电流控制型。此种状态称为双极模式。大的电流和甚低的通态压降是此模式的基本特征。I-V特性呈类五极管形式。3 BSIT动态性能的物理分析　　（1） BSIT的开关特性的物理分析　　双极型静电感应晶体管是一种新型功率开关，其结构和垂直沟道JFET类似。但由于外延层掺杂浓度很低，栅间距很小，栅长也很短，栅区更接近于源区，从而栅对电流的控制更强，表现出较JFET 更优良的电特性。　　在负栅压下，电流作用主要是沟道势垒控制机制。在栅压由负变正而逐渐增大的过程中，器件由势垒控制机制向少子注入控制电流机制转化。在正向栅压很小时，由栅极注入沟道的空穴浓度很低，同时由于沟道势垒的阻挡作用，由源注入沟道的电子浓度也很小，此时势垒仍存在，在漏压作用下，电子通过沟道向漏极运动，同时由于栅结自建势的作用，流入栅极的电子电流可以忽略，电子浓度沿沟道中线向两栅方向逐渐减小。静态地看，电子电流在沟道中将补偿电离掺杂电荷，从而等价于掺杂浓度减小，即要求的夹断电压减小，随着栅压的升高，由于源高低结的反射作用，已有空穴积累于源