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2021/3/17 * 大信号NMOS的寄生电容 耗尽电容:CBD、CBS 栅电容:CGS、CGD、CGB 2021/3/17 * 耗尽电容CBD、CBS 其中ABD为Bulk-Drain面积; 0.33MJ0.5 2021/3/17 * 栅电容:CGS、CGD、CGB 交叠电容C1、C2（栅-体交叠电容）、C3 2021/3/17 * NMOS栅电容总结 2021/3/17 * 三、MOS小信号模型 简化计算的线性模型; 在大信号电压和电流完全可以用直线表示时才有效; 基于大信号模型所实现,依赖于大信号工作条件。 2021/3/17 * 等效跨导gbd、gbs和沟道跨导gm、gmbs、gds 2021/3/17 * 饱和区小信号跨导 2021/3/17 * 非饱和区小信号跨导 2021/3/17 * 四、Spice Level 3 Model 2021/3/17 * BSIM3V3 Model 工业标准MOS Spice仿真模型; 适用于亚微米、沈亚微米CMOS工艺; 充分考虑了阈值电压的减小、迁移率的退化、沟道长度调制效应、热电子效应等; 支持Hspice、Spectre等仿真工具; 2021/3/17 * MOSFET49级模型(Level=49, BSIM3V3) 1995年10月31日由加州柏克莱分校推出.基于物理的深亚微米MOSFET模型. 可用于模拟和数