电子技术基础课件4-5-1mos场效应管工作原理.pptVIP

Lec 05 * 1. MOSFET是如何实现信号放大的？ 2. MOSFET需具备什么样的条件才能正常放大信号？如何构成其放大电路？ 3. 如何分析和设计MOSFET放大电路？ 4. FET与BJT放大电路有何异同点？ 华中科技大学电信系 张林 * 场效应管的分类： P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 华中科技大学电信系 张林 * 放大需要： 能量供给 双口网络（电路） 能实现输入对输出的控制 控制关系是线性的 A x y 电源 MOSFET是如何满足这些条件的？与BJT有何异同？ MOSFET是如何实现信号放大的？ 华中科技大学电信系 张林 * MOSFET是如何实现信号放大的？ N沟道增强型结构 L ：沟道长度 W ：沟道宽度 tox ：绝缘层厚度 通常 W L 华中科技大学电信系 张林 * MOSFET是如何实现信号放大的？ 剖面图 符号 N沟道增强型结构 华中科技大学电信系 张林 * MOSFET是如何实现信号放大的？ （1）VGS对沟道的控制作用 当VGS≤0时 无导电沟道， d、s间加电压时，也无电流产生。 当0 VGS VT 时 产生电场，但未形成导电沟道（反型层），d、s间加电压后，没有电流产生。 如何让该MOSFET导电？ 华中科技大学电信系 张林 * MOSFET是如何实现信号放大的？ 当VGS VT 时 在电场作用下产生导电沟道，d、s间加电压后，将有电流产生。 VGS越大，导电沟道越厚 VT 称为增强型MOSFET开启电压 （1）VGS对沟道的控制作用 必须依靠栅极外加电压才能产生反型层的MOSFET称为增强型器件 如何让该MOSFET导电？ 华中科技大学电信系 张林 * MOSFET是如何实现信号放大的？ （2）VDS对沟道的控制作用 ?靠近漏极d处的电位升高 ?电场强度减小 ?沟道变薄 当VGS一定（VGS VT ）时， VDS? ?ID? ?沟道电位梯度? 整个沟道呈楔形分布 如何让该MOSFET导电？ 华中科技大学电信系 张林 * MOSFET是如何实现信号放大的？ 当VDS增加到使VGD=VT 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 在预夹断处：VGD=VGS-VDS =VT （2）VDS对沟道的控制作用 当VGS一定（VGS VT ）时， VDS? ?ID? ?沟道电位梯度? 如何让该MOSFET导电？ 华中科技大学电信系 张林 * MOSFET是如何实现信号放大的？ 预夹断后，VDS? ?夹断区延长 ?沟道电阻? ?ID基本不变 （2）VDS对沟道的控制作用 如何让该MOSFET导电？ 华中科技大学电信系 张林 * MOSFET是如何实现信号放大的？ 如何让该MOSFET导电？ （3）VDS和VGS同时作用时 VDS一定，VGS变化时 给定一个vGS ，就有一条不同的 iD – vDS 曲线。 华中科技大学电信系 张林 * MOSFET是如何实现信号放大的？ 与BJT对比，如何体现控制关系？ iD iC vGS iB vDS vCE vGS 对iD的控制 华中科技大学电信系 张林 * MOSFET是如何实现信号放大的？ 原理小结 沟道中只有一种类型的载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型三极管。 MOSFET是电压控制电流器件（VCCS），iD受vGS控制。 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。 MOSFET的栅极是绝缘的，所以iG?0，输入电阻很高。 只有当vGSVT时，增强型MOSFET的d、s间才能导通。 Lec 05