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高温多数关键工艺是在高温下实现如热氧化扩散退火高温多数关键工艺是在高温下实现如热氧化扩散退火分立器件和集成电路的区别分立元件每个芯片只含有一个器件集成电路每个芯片含有多个元件平面工艺的特点平面工艺是由于年提出的在这项技术中整个半导体表面先形成一层氧化层再借助平板印刷技术通过刻蚀去除部分氧化层从而形成一个窗口结形成的方法合金结方法接触加热将一个型小球放在一个型半导体上加热到小球熔融冷却型小球以合金的形式掺入半导体底片冷却后小球下面形成一个再分布结晶区这样就得到了一个结合金结的缺点不能准确控制结的位
高温 多数关键工艺是在高温下实现， 如：热氧化、扩散、退火 。
高温 多数关键工艺是在高温下实现， 如：热氧化、扩散、退火 。
1、 分立器件和集成电路的区别
分立元件：每个芯片只含有一个器件；集成电路：每个芯片含有多个元件。
2、 平面工艺的特点
平面工艺是由 Hoerni 于 1960 年提出的。在这项技术中，整个半导体表面先形成一层氧化层，再借助平板印刷技术，通 过刻蚀去除部分氧化层，从而形成一个窗口。
P-N 结形成的方法：
① 合金结方法
A、接触加热：将一个 P型小球放在一个n型半导体上，加热到小球熔融。
B、 冷却： P 型小球以合金的形式掺入半导体底片，冷却后，小球下面形成一个
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