第四章-材料制备.pptVIP

2021/3/23 * 等离子体化学气相沉积设备(PECVD) 包括: 真空获得及测量系统 反应室 等离子体系统 供气控制系统 将反应气体硅烷（SiH4）和H2通入真空反应室,用等离子辉光放电加以分解,产生包括带电离子、中性粒子、活性基团和电子等,它们落在衬底表面生成Si薄膜。 2021/3/23 * 热丝化学气相系统 从左到右依次是HWCVD腔体、进样室和PECVD腔体。每个腔体之间用闸板阀隔离,通过磁力杆在各腔体之间传递样品。HWCVD腔体和 PECVD腔体均采用前级机械泵和次级分子泵组成的真空系统,可得到~10-4 pa背景真空。 2021/3/23 * 例:制备YBa2Cu3O7高温超导体薄膜 普通的Y、Ba、Cu的化合物需要在相当高的温度下才有足够的蒸气压,不适宜作为CVD的源材料。 以Y、Ba、Cu的金属有机化合物作为源材料。 如Y(C11H19O2)3、Ba(C11H19O2)2、Cu(C12H19O2)2作为Y、Ba、Cu的源材料。 在MOCVD法中,通常以H2气作为稀释和载运气体,化合物源材料在气相混合同进入反应室,在加热区产生热解反应,生成相应的化合物在基片上沉积。 合金的组分和掺杂水平由各种气体源的相对流量来控制,可用质量流量计和各种阀门进行调节控制。 金属有机物化学气相沉积技术（MOCVD法） 2021/3/23 * 分子束外延 (MBE)技术