模拟电子线路习题习题答案(DOC).docxVIP

第一章 1.1在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度 ND = 2x1014cm^。 (1)求室温300K时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为 P型或N型。 (2若再掺入受主杂质，其浓度 NA=3x1014cm^ ，重复(1 )。 （3）若 Nd= NA = 1015cm 3,重复（1）。 （4 ）若 ND = 1016cm，NA = 1014cm ，重复（1 ）。 解：(1)已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值山=1.5咒1010 cm」，施主杂质 14 3 10 Nd = 2x10 cm 山=1.5咒10 cm 」，所以可得多子自由浓度为 14 3 n 0s：Nd=2x10 cm 少子空穴浓度 2 p0 = ■^― = 1.125 咒 106 cm ° n。 该半导体为N型。 (2)因为Na - Nd =1 X1014cm‘ nj，所以多子空穴浓度 Po x1014cm 少子电子浓度 2 n0 = = 2.25X 106cm ° P0 该半导体为P型。 (3)因为Na= Nd,所以 10 _3 P0= n。= rn = 1.5X 10 cm 该半导体为本征半导体。 (4)因为Nd -Na=1016-1014=99X1014( cm)? ni，所以，多子自由电子浓度 n0 = 99X1014 cm 空穴浓度 2 10 2 ni （1.5勺010）2 4 / 、 p0=——