第四章场效应管习题答案...docxVIP

第四章 场效应管基本放大电路 4-1选择填空 场效应晶体管是用 控制漏极电流的。 a.栅源电流 b.栅源电压 c.漏源电流 结型场效应管发生预夹断后，管子 _ a.关断 b.进入恒流区 3 .场效应管的低频跨导 gm是 a.常数 b.不是常数 场效应管靠 导电。 a. 一种载流子 b.两种载流子 增强型PMOS管的开启电压 a.大于零 增强型NMOS a.大于零 只有 a.增强型 分压式电路中的栅极电阻 a.设置合适的静态工作点 c.提高电路的电压放大倍数 源极跟随器（共漏极放大器）的输出电阻与 a.管子跨导gm b.源极电阻Rs 某场效应管的Idss为6mA，而Idq自漏极流出，大小为 8mA，则该管是 a. P沟道结型管 C.增强型PMOS管 e.增强型NMOS管 o c.进入饱和区 c.栅源电压有关 o c.等于零 c.电子 b.小于零 管的开启电压 O b.小于零 c.等于零 _场效应管才能采取自偏压电路。 b.耗尽型 c.结型 Rg 一般阻值很大，目的是 解答： 1.b 2.b 3.b,c 4. a 5.b 6.a d.漏源电压 d.可变电阻区 d.栅源电压无关 d.空穴 d.或大于零或小于零 d.或大于零或小于零 d.增强型和耗尽型 b.减小栅极电流 d.提高电路的输入电阻 有关。 c.管子跨导gm和源极电阻Rs b. N沟道结型管 耗尽型PMOS管 耗尽型NMOS管 d. f. 7. b,c 8. d 9.C 10.d 4-2已知题4-2图所示中各场效应管工作在恒流区， 请将管子类型、电源Vdd的极性（+、-）、 0,任意）分别填写在表格中。 UGS的极性(0 , ■ Vdd 0, 0, Vdd Vdd f Vdd Vdd Rd hrd Rd Rd Rd t^VT Rd G S VT (a) (b) (c) (d) (e) (f) 题4-2图 图号 项目 (a) (b) （C） (d) (e) (f) 沟道类型 N P N N P P 增强型或 耗尽型 结型 结型 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 解: 电源Vd极 性 + 一 + + 一 一 Ugs极性 0 0 0 任意 0 任意 4-3试分析如题4-3图所示各电路能否正常放大，并说明理由。 Ci Rgi Rd Ui II * _ + Rg2 (a) c Vdd □ Rd Vdd Co —O + VT uo V DD Ui Rgi Ci + VT uo O -Vdd 「 1 1 Co 7 ) + Rgi I b Ci Rd Ci 41H Rd Co —o Ci Ui 解: RG2 + Ui Rg aka VT UO Rs Uo Cs (C) c Ucc Q -V DD Rd Rd Co —o Co Ci -I * VT -- + i-L-i Rg Uo T Ui -I- O Rg VT + UO (e) 题4-3图 Rs Cs (f) ⑻不能。 VT是一个N沟道JFET,要求偏置电压 Ugs满足UGs,off Ugs O,而电路中 VT的偏置 电压Ugs0,因此不能进行正常放大。 (b)能。 VT是一个P沟道JFET，要求偏置电压 Ugs满足0Ugs Ugsm，而电路中VT的偏置 电压U gs0，只要在0Ugs U Gs,off范围内就能进行正常放大。 (C)能。 VT是一个N沟道 MOSFET，要求偏置电压 Ugs满足Ugs U Gs,off 0。电路中 Ugs0 , 如果满足UGS U GS,off就可以正常放大。 (d)不能。 虽然MOSFET的漏极D和源极s可以颠倒使用，但是此时衬底的接法也需要调整。虽 然电路中自给偏置电压 Ugs0，也可能满足 Ugs UGs,off 0。但是D极和衬底B之间的PN 结正向导通，因此电路不能进行信号放大。 (e)不能 VT是一个N沟道增强型 MOSFET,开启电压Uon 0,要求直流偏置电压 Ugs Uon,电 路中Ugs=0 ,因此不能进行正常放大。 (f)能。 VT是一个P沟道耗尽型 MOSFET，夹断电压UGs,off0，放大时要求偏置电压 Ugs满足 Ugs U Gs,off。电路中UGS0，如果满足Ugs UGs,off就可以正常放大。 4-4电路如题4-4图所示，Vdd=24 V，所用场效应管为 N沟道耗尽型，其参数lDss=0.9mA , U Gs,off=-4V ,跨导 gm=1.5mA/V。电路参数 RG1=200k Q , RG2=64k Q , Rg=1M Q , Rd= Rs= RL=10k Q。试求： 1. 1. 2?电压放大倍数。 输入电阻和输出电阻。 题4-4 题4-4图 解： 静态工作点的计算 TOC \o 1-5 \h \z Rg2 64 U GS =U