第五章晶体生长动力学.pptVIP

晶体生长动力学 主讲人： 李勤涛 在亚稳相中晶体形成以后 或者放入籽晶（晶种） 后晶体如何生长？ 晶体以何种机制生长？ 晶体生长速率R与驱动力Δg之间的规律 界面动力学规律 --------生长速率R和驱动力之间的关系R（ Δg） 邻位面 光滑界面 粗糙界面 生长机制 界面动力学规律 邻位面的生长------台阶动力学与运动学 邻位面的生长： 即台阶在光滑面上的移动问题 邻位面的图像 界面上分子的位能 位能的分析 如图所示： 到达位置4时，释放的能量最大， 故其位能最低，并且最稳定。 其所释放的能量为相变潜热lSF 研究对象： 简单立方{100} 面 假设： 最近邻键合能 2 Φ 1 次近邻键合能 2 Φ2 界面上不同位置的势能曲线 动力学（Δg）角度看，扭折位置上的分子有下列三种情况： 1）当Δg=0，分子进入和离开扭折的几率相等，达到平衡态 2）当Δg0，分子离开几率进入几率，晶体亚稳态，晶体熔解 3）当Δg0，分子进入几率离开几率，流体亚稳态，晶体生长 单个分子的相变潜热lsf 与ws、wk之间满足如下关系 lsf=ws+wk （1） 一般来说，台阶上扭折之间的距离X0较小， 因而由台阶上的位置（3）通过一维扩散到 达扭折是比较容易的，因此可以认为凡是达 到台阶上的分子都能立即到达扭折，故生长 过程中流体分子或者通过方式（B)达到扭折