模电第1章半导体器件.pptVIP

补：半导体基础知识 第一章 常用半导体器件 主要内容： 半导体的特性(半导体基础知识） 半导体二极管 半导体三极管 场效应管 PN 结的电流方程 由理论分析可知，PN结所加端电压u与流过它的电流i的关系如下： 常温下(T=300K)时，UT≈26mv 晶体管的三个工作区域 状态 UBE IC UCE 截止 ＜Uon ICEO VCC 放大 ≥ Uon β IB ≥ UBE 饱和 ≥ Uon ＜β IB ＜ UBE 场效应管分类 N沟道结型场效应管的结构示意图 uDS ＝0时uGS对导电沟道的控制作用 UGS(off) uGS 0且uDS 0的情况 uDS ＝0时uGS对导电沟道的影响 uGS为大于UGS(th)的某一值时 uDS对iD的影响 N沟道增强型MOS管的转移特性 N沟道增强型MOS管的漏极特性 场效应管的符号及特性 1、 绝缘栅型场效应管的结构 无论是N沟道MOS管还是P沟道MOS管，都只有一种载流子导电，MOS管的栅极电流几乎为零，输入电阻RGS很高 2、工作原理（以N沟道增强