半导体芯片制造工半导体制造技术试卷（半导体芯片制造工）.docVIP

试卷第 PAGE 3 页共 NUMPAGES 4 页 半导体芯片制造工半导体制造技术试卷（半导体芯片制造工） 姓名:_____________ 年级:____________ 学号:______________ 题型 选择题 填空题 解答题 判断题 计算题 附加题 总分 得分 评卷人 得分 1、分别简述RVD和GILD的原理，它们的优缺点及应用方向。 2、集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？ 3、杂质原子的扩散方式有哪几种？它们各自发生的条件是什么？从原子扩散的角度举例说明氧化增强扩散和氧化阻滞扩散的机理。 4、写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含义。 5、以P2O5为例，多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。 6、假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。 7、什么是两步扩散工艺，其两步扩散的目的分别是什么？ 8、简述几种常用的氧化方法及其特点。 9、说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。 10、以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程。 11、简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。 12、简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程，并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。