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最详细的的解详细解析概述绝缘栅双极型晶体管是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件兼有的高输入阻抗和的低导通压降两方面的优点饱和压降低载流密度大但驱动电流较大驱动功率很小开关速度快但导通压降大载流密度小综合了以上两种器件的优点驱动功率小而饱和压降低非常适合应用于直流电压为及以上的变流系统如交流电机变频器开关电源照明电路牵引传动等领域结构结构图左边所示为一个沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构区称为源区附于其上的电极称为源极区称为漏区器件的控制区为栅区附于其上的电极称为
最 详 细 的 的 - I GBT- 解
IGBT 详细解析
概述
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅 双极型晶体管 ，是由 BJT（ 双 极型三极管）和 MOS（绝缘栅型场效应管 ）组成的复合全控型 电压驱动式功率半导 体器件, 兼有 MOSFET 的高输入阻抗和 GTR 的低导通压降两方面的优点。 GTR 饱和压降低，载流密度大，但驱动 电流较大;MOSFET 驱动功率很小，开关速度 快，但导通压降大，载流密度小。 IGBT 综合了以上两种器件的优点，驱动功率 小而饱和压降低。非常适合应用于 直流电压 为 600V 及以上的变流系统如交流
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