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实验十半导体磁阻效应 材料的电阻会因为外加磁场而增加或减少，则称电阻的变化称为磁阻（ MR ）。磁阻效 应是1857年由英国物理学家威廉汤姆森发现的，它在金属里可以忽略，在半导体中则可能 由小到中等。从一般磁阻开始，磁阻发展经历了巨磁阻（ GMR ）、庞磁阻（CMR ）、穿隧磁 阻（TMR ）、直冲磁阻（BMR ）和异常磁阻（EMR ）。磁阻器件由于灵敏度高、抗干扰能力 强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域得到广泛应用，如数字式罗盘、 交通车辆检测、导航系统、伪钞检别、位置测量等。 2007年诺贝尔物理学奖授予来自法国 国家科学研究中心的物理学家阿尔伯特 福特和来自德国尤利希研究中心的物理学家彼 得 格林德，以表彰他们发现巨磁电阻效应的贡献。 【实验目的】 1?了解用霍尔效应法测量磁感应强度； 2?研究锑化铟的电阻随磁感应强度变化的关系； 3 ?掌握用最小二乘法归纳经验公式； 4?了解磁阻元件的交流倍频特性。 【实验仪器】 MR-1磁阻效应实验装置、SXG-1B毫特斯拉仪、VAA-1电压测量双路恒流电源、数 字存储示波器、CA1640-02信号发生器等。 【实验原理】 磁阻效应 许多金属、合金及金属化合物材料处于磁场中时， 传导电子受到强烈磁散射作用， 使材 料的电阻显著增大，称这种现象为磁阻效应。通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻，即 MR‘°(5.10.1 MR