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逻辑门电路使用中的几个实际问题 以上讨论了几种逻辑门电路特别是重点地讨论了 TTL和CMOS两种电路。在具体的应用中可以 根据要求来选用何种器件。器件的主要技术参数有传输延迟时间、功耗、噪声容限，带负载能力 等，据此可以正确地选用一种器件或两种器件混用。下面对几个实际问题，如不同门电路之间的接 口技术，门电路与负载之间的匹配等进行讨论。 一、各种门电路之间的接口问题 在数字电路或系统的设计中，往往由于工作速度或者功耗指标的要求，需要采用多种逻辑器件 混合使用，例如，TTL和CMOS两种器件都要使用。由前面几节的讨论已知，每种器件的电压和电 流参数各不相同，因而需要采用接口电路，一般需要考虑下面三个条件： 驱动器件必须能对负载器件提供灌电流最大值。 驱动器件必须对负载器件提供足够大的拉电流。 驱动器件的输岀电压必须处在负载器件所要求的输入电压范围 ，包括高。低电压值。 其中条件1和2,属于门电路的扇岀数问题，已在第四节作过详细的分析。条件3属于电压兼 容性的问题。其余如噪声容限、输入和输岀电容以及开关速度等参数在某些设计中也必须予以考 虑。 下面分别就CMOS门驱动TTL门或者相反的两种情况的接口问题进行分析。 1.CMOS门驱动TTL门 在这种情况下，只要两者的电压参数兼容，不需另加接口电路，仅按电流大小计算岀扇岀数即 可。 下图表示CMOS门驱动TTL门的简单电路。当CMOS门的输出为高电平时，它为 TTL负载提 供拉电流，反之则提供灌电流。 例2.9.1―― 74HC00与非门电路用来驱动一个基本的 TTL反相器和六个74LS门电路。试验算此时的 CMOS门电路是否过载？ 解： (1)查相关手册得接口参数如下：一个基本的 TTL门电路，IIL = 1.6mA，六个74LS门的输入 电流 IIL = 6X0.4mA = 2.4mA。总的输入电流 IIL(total = 1.6mA + 2.4mA = 4mA。 （2 （2）因74HC00门电路的IOL = IIL =4mA，所驱动的TTL门电路未过载 2. TTL门驱动CMOS门 此时TTL为驱动器件，CMOS为负载器件。由手册可知，当 TTL输入为低电平时，它的输出电压参数与 CMOS HC的输入电压参数是不兼容的。例如， LSTTL的 VOH（min为2.7V，而 HC CMOS的VIH（min 为 3.5V。为了克服这一矛盾，常采用如上图所示的接口措施。由图可知，用上拉电阻 Rp接到VDD可将TTL的 输出高电平电压升到约 5V，上拉电阻的值取决于负载器件的数目以及 TTL和CMOS的电流参数。 当TTL驱动CMOS - 计中，也常用CMOS ―- -—HCT时，由于电压参数兼容 ，不需另加接口电路。基于这一情况，在数字电路设 HCT当作接口器件，以免除上拉电阻。 一、Q由TTL和CMO阶组成的相似门电路，（如与非门，输入端皆由一条高电平和 一条51欧电阻接地，输出结果有何不同？为什么？） A : 功 耗 TTL门电路的空载功耗与 CMOST的静态功耗相比，是较大的，约为数十毫瓦（ mW而 后者仅约为几十纳（10-9瓦；在输出电位发生跳变时（由低到高或由高到低） ，TTL和 CMOS门电路都会产生数值较大的尖峰电流，引起较大的动态功耗。 速 度 通常以为TTL门的速度高于“ CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电 路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。电阻数值越大，工作速度 越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对 于输入波形上有“传输延时” tpd。将 tpd与空载功耗 P的乘积称为“速度 -功耗 积”，做为器件性能的一个重要指标，其值越小，表明器件的性能越 好（一般约为几 十皮（10-12 ）焦耳）。与 TTL门电路的情况不同，影响 CMOSt路工作速度的主要因 素在于电路的外部，即负载电容 CL。CL是主要影响器件工作速度的原因。由 CL所决 定的影响CMOS1的传输延时约为几十纳秒。 、Q TTL元件和CMO元件的区别是什么? A: 1）电平的上限和下限定义不一样， CMO具有更大的抗噪区域。同是 5伏供电的话，ttl - 般是1.7V和3.5V的样子，CMOS一般是2.2V,2.9V 的样子，不准确，仅供参考。 2）电流驱动能力不一样，ttl 一般提供25毫安的驱动能力，而 CMOS-般在10毫安左右。 3）需要的电流输入大小也不一样，一般 ttl需要2.5毫安左右，CMOS1乎不需要电流输入。 4）很多器件都是兼容 ttl和CMOS勺，datasheet会有说明。如果不考虑速度和性能，一般器 ttl 电路需要 ttl 电路需要 、Q TTL和CMO有什么区另U? A : 谈 谈 TTL 和 CM