集成电路工艺原理-离子注入原理下.ppt

*/37 二、双极型制造（Bipolar fabrication） 。高能注入形成埋层 。LOCOS下方的p-n结隔离 。形成基区注入 。砷注入多晶硅发射区 。多晶电阻 */37 三、其它应用 硅衬底背面损伤形成吸杂区 Backside Damage Layer Formation for Gettering 形成SOI结构 Silicon-On-Insulator Using Oxygen or Hydrogen Implantation */37 */37 */37 本节课主要内容 什么是离子注入损伤？退火的目的是什么？什么是RTP？ 产生大量空位－间隙对，直至非晶化。恢复晶格，激活杂质，恢复载流子迁移率和少子寿命。快速热退火，热扩散小，制作浅结。 */37 离子注入小结： (1) 注入离子在靶内的纵向浓度分布可近似取高斯函数形式 (2) 在平均投影射程 x=Rp 处有一最高浓度，最大浓度与注入剂量关系 (3) 平均投影射程两边，注入离子浓度对称地下降。离平均投影射程越远，浓度越低。 * 集成电路工艺原理 INFO130024.02 第七章 离子注入原理 (下) */37 集成电路工艺原理 */37 大纲 第一章 前言 第二章 晶体生长 第三章 实验室净化及硅片清洗 第四章 光刻 第五章 热氧化 第六章 热扩散 第七章 离子注入 第八章 薄膜淀积 第九章 刻蚀 第十章 后端工艺与集成 第十一章 未来趋势与挑战 */37 上节课主要内容 LSS理论？阻止能力的含义？ 离子注入的杂质分布？退火后？ 离子注入的主要特点？ 掩蔽膜的厚度？ 精确控制掺杂，浅结、浅掺杂，纯度高，低温，多种掩模，… 非晶靶。能量损失为两个彼此独立的过程(1) 核阻止与(2) 电子阻止之和。能量为E的入射粒子在密度为N的靶内走过x距离后损失的能量。 掩膜层能完全阻挡离子的条件： */37 总阻止本领（Total stopping power） 核阻止本领在低能量下起主要作用（注入分布的尾端） 电子阻止本领在高能量下起主要作用 核阻止和电子阻止相等的能量 */37 离子注入的沟道效应 沟道效应（Channeling effect） 当离子沿晶轴方向注入时，大部分离子将沿沟道运动，几乎不会受到原子核的散射，方向基本不变，可以走得很远。 */37 110 111 100 倾斜旋转硅片后的无序方向 */37 浓度分布 由于沟道效应的存在，在晶体中注入将偏离LSS理论在非晶体中的高斯分布，浓度分布中出现一个相当长的“尾巴” 产生非晶化的剂量 沿100的沟道效应 */37 表面非晶层对于沟道效应的作用 Boron implant into SiO2 Boron implant into Si */37 B质量比As轻，当以约7 °角度进行离子注入硅衬底时， B的尾区更大。因为： 沟道效应：当离子沿晶轴方向注入时，大部分离子将沿沟道运动，几乎不会受到原子核的散射，方向基本不变，可以走得很远（很深）。 倾斜角度注入 表层非晶化：预非晶化，大剂量注入，非晶SiO2膜 1）B碰撞后传递给硅的能量小，难以形成非晶层 2）B的散射大，容易进入沟道。 非晶 */37 减少沟道效应的措施 对大的离子，沿沟道轴向(110)偏离7－10o 用Si，Ge，F，Ar等离子注入使表面预非晶化，形成非晶层（Pre-amorphization） 增加注入剂量（晶格损失增加，非晶层形成，沟道离子减少） 表面用SiO2层掩膜 */37 表面处晶格损伤较小 射程终点（EOR）处晶格损伤大 */37 EOR damage Courtesy Ann-Chatrin Lindberg (March 2002). */37 晶格损伤：高能离子注入硅片后与靶原子发生一系列碰撞，可能使靶原子发生位移，被位移原子还可能把能量依次传给其它原子，结果产生一系列的空位－间隙原子对及其它类型晶格无序的分布。这种因为离子注入所引起的简单或复杂的缺陷统称为晶格损伤。 什么是注入损伤 (Si)Si?SiI + SiV */37 损伤的产生 移位原子：因碰撞而离开晶格位置的原子。 移位阈能Ed：使一个处于平衡位置的原子发生移位，所需的最小能量. (对于硅原子, Ed?15eV) EEd 无位移原子 ??EdE2Ed 有位移原子 ??E2Ed 级联碰撞 注入离子通过碰撞把能量传给靶原子核及其电子的过程，称为能量传递过程 */37 损伤区的分布 重离子每次碰撞传输给靶的能量较大，散射角小，获得大能量的位移原子还可使许多原子移位。注入离子