场效应管及其应用电气.pptVIP

第三章 场效应管及其应用;3.2 结型场效应管;;2、工作原理：以N沟道JFET为例;;;;3. 转移特性;;UGS(off);4、主要参数;4、主要参数;4、主要参数;3.3 绝缘栅场效应管。;1、N沟道增强型MOS场效管;(2)增强型NMOS管的工作原理;(2)增强型NMOS管的工作原理;;可变电阻区;4）主要参数;;3、场效应管使用注意事项;场效应管与三极管的特点比较;;;;3.5 场效应管放大器;3.5 场效应管放大电路;3.5.1 场效应管的直流偏置电路与静态分析;3.5.1 场效应管的直流偏置电路与静态分析;3.5.1 场效应管的直流偏置电路与静态分析;;2. 静态工作点的计算 (1)对耗尽型管子(结型场效应管也属于耗尽型管子)有 ID=IDSS( 1-UGS / UP )2 UDS=UDD-IS(RS+RD) 联立求解，即可得到静态工作点的电流和电压值。;(3) 图示电路的参数如下：Rg1＝2mΩ，Rg2＝47kΩ，Rg3＝10mΩ，Rd＝30 kΩ，Rs＝2kΩ，Cs＝10μF，C1＝C2＝0.01μF，UDD＝18V， 场效应管3D01的参数为UGS(off)=-1V， IDSS＝0.5 mA。 试确定该电路的静态工作点。;3.5.2 场效应管的小信号模型;B、输入电阻： ri=Rg+(Rg1∥Rg2) 接入Rg的目的就是为了不使电路的输入电阻由于Rg1和Rg2的影响而降低太多。 因此，Rg一般选的较大，约为几百千欧姆到10MΩ左右。 ;;例 图示为带源极偏置电阻的共源极放大电路， 试求电压放大倍数、 输入电阻和输出电阻。